| 講演名 | 2013-11-28 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学, |
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| 抄録(和) | 表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp^+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処理あり)の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡(SEM)、電流-電圧(I-V)、容量-電圧(C-V)、およびブレークダウン特性により評価した。p^+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧(I-V)特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧(C-V)特性より抽出したp^+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p^+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ(～0.02eV)であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp^+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度(アニール処理なし:～0.88MV/cm,アニール処理あり:～2.11MV/cm)を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度(～0.3MV/cm)およびSi/Si Abrupt接合におけるブレークダウン電界強度(～0.65MV/cm)と比較して優れた値を示した。 |
| 抄録(英) | The physical and electrical properties of p^+-Si/n-4H-SiC heterojunctions with and without being annealed fabricated by using surface-activated bonding (SAB) were investigated by scanning electron microscopy (SEM), current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and breakdown characteristics measurements. The I-V characteristics of p^+-Si/n-4H-SiC junctions showed rectifying properties at room temperature. The flat-band voltage was around 1.0V and the conduction band offset of p^+-Si/n-4H-SiC junctions was determined to be ～0.02 eV from the C-V characteristics. The obtained breakdown voltages from the breakdown characteristics corresponded to the electric field of ～0.88 MV/cm (not annealing) and ～2.11 MV/cm (annealing) and these values were higher than critical electric fields at breakdown in bulk Si (～0.3 MV/cm) and in Si-based one-sided abrupt junction (～0.65 MV/cm). |
| キーワード(和) | 表面活性化ボンディング / Si / SiC / 電流電圧特性 / ヘテロ接合 |
| キーワード(英) | surface-activated bonding / Si / SiC / current-voltage characteristics / heterojunction |
| 資料番号 | ED2013-68,CPM2013-127,LQE2013-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of Si/SiC heterojunctions fabricated using surface-activated bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化ボンディング / surface-activated bonding |
| キーワード(2)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(3)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 電流電圧特性 / current-voltage characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西田 将太 / Shota Nishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梁 剣波 / Jianbo Liang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森本 雅史 / Masashi Morimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 新井 学 / Manabu Arai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 New Japan Radio Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2013-11-28 |
| 資料番号 | ED2013-68,CPM2013-127,LQE2013-103 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 330 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |