| 講演名 | 2013-11-28 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 : シリコン基板への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) 青田 奈津子, 会田 英雄, 武田 秀俊, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上への窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長においては、成膜中および成膜後に基板のそりが生じるため、基板のそり制御技術が必要とされている。我々は、内部集光レーザで形成した改質層によって基板内部に応力が発生することを利用して、シリコン基板およびGaN on Silicon基板のそりを制御する技術の検討を行った。まず、シリコン基板に対して様々な条件で内部改質層を形成し、そり制御技術を検証した。その結果、基板厚みに対する改質層の形成位置および改質層の形成パターンのピッチにより、基板のそり量を制御できることが分かった。また、改質層形成によりそりを与えたシリコン基板上にGaN膜を成膜することにより、成膜中のそりを制御できる可能性が示唆された。さらに、GaN on Silicon基板において、GaN膜により発生した応力を相殺するように内部改質層の形成条件を最適化した。GaN on Silicon基板のそりは改質層の形成パターンのピッチにより制御できることを確認した。 |
| 抄録(英) | Bow management for heteroepitaxy of nitride semiconductor films on silicon substrate has been required, as substrate bow is introduced during and after heteroepitaxial growth. We investigated bow management technique for silicon substrate before and after GaN film growth by using internally focused laser. The substrate inside is modified by the laser and then stress is introduced inside the substrate, resulting in substrate bow. Modified layers were introduced into silicon substrate inside under various conditions to study bow control system of silicon substrate. As a result, it was found that the substrate bow can be controlled by depth of modified layers in substrate thickness and pattern pitch of modified layers. It was also suggested that the substrate bow during GaN film growth on silicon substrate can be controlled by applying initial bow. We applied the laser process to bow control of GaN on silicon substrate to compensate stress induced by GaN films. We revealed that the substrate bow of GaN on silicon substrate can be controlled by pattern pitch of modified layers. |
| キーワード(和) | ヘテロエピタキシャル成長 / 内部集光レーザ / GaN on Silicon |
| キーワード(英) | Heteroepitaxial growth / Internally focused laser / GaN on silicon |
| 資料番号 | ED2013-67,CPM2013-126,LQE2013-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/11/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 内部集光レーザを用いた窒化物半導体デバイス用基板のそり制御 : シリコン基板への応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bow management of substrate for nitride semiconductor devices by internally focused laser processing : application to silicon substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | 内部集光レーザ / Internally focused laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaN on Silicon / GaN on silicon |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 青田 奈津子 / Natsuko Aota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株式会社NJC技術研究所 Namiki Precision Jewel Co. Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 会田 英雄 / Hideo Aida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株式会社NJC技術研究所 Namiki Precision Jewel Co. Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武田 秀俊 / Hidetoshi Takeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 並木精密宝石株式会社NJC技術研究所 Namiki Precision Jewel Co. Ltd. |
| 発表年月日 | 2013-11-28 |
| 資料番号 | ED2013-67,CPM2013-126,LQE2013-102 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 330 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |