講演名 | 2013-11-27 3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術(3次元集積回路・実装技術,デザインガイア2013-VLSI設計の新しい大地-) 谷 元昭, 中田 義弘, 神吉 剛司, 中村 友二, |
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抄録(和) | 3D/2.5D実装向けのチップ間を接続するための微細配線について、高信頼性を目的とした我々の開発技術を紹介する。これまでに、有機絶縁膜上にセミアディティブ法を用いてL/S=1/1μmまでの微細なCu配線を形成するとともに、その信頼性を検証してきた。今回、高温高湿下のL/S=1/1μmのCu配線においても、Cuの腐食や拡散を防止し高信頼性を実現できるメタルバリアを適用した配線構造を見出した。 |
抄録(英) | This paper describes the technologies of fine-pitch Cu wirings providing high reliability that connect between chips for 3D/2.5D packaging. We developed the semi-additive process to fabricate Cu wirings, which line/space is 1/1 μm or wider, on the organic insulation layer and their reliability has been verified. The metal-barrier wiring structure, which provides the capabilities to prevent the Cu corrosion and the Cu diffusion and the high reliability even the line/space of wirings is 1/1 μm under the HAST condition, will be reported. |
キーワード(和) | 3次元/2.5次元実装 / インターコネクト / 微細配線 / Cu配線 / 信頼性 / 高温高湿試験 |
キーワード(英) | 3D/2.5D / Interconnection / fine-pitch wiring / Cu wiring / Reliability / HAST |
資料番号 | VLD2013-75,CPM2013-119,ICD2013-96,CPSY2013-60,DC2013-41,RECONF2013-43 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | RECONF |
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開催期間 | 2013/11/20(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Reconfigurable Systems (RECONF) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術(3次元集積回路・実装技術,デザインガイア2013-VLSI設計の新しい大地-) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Cu Wiring Technology for 3D/2.5D Packaging |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 3次元/2.5次元実装 / 3D/2.5D |
キーワード(2)(和/英) | インターコネクト / Interconnection |
キーワード(3)(和/英) | 微細配線 / fine-pitch wiring |
キーワード(4)(和/英) | Cu配線 / Cu wiring |
キーワード(5)(和/英) | 信頼性 / Reliability |
キーワード(6)(和/英) | 高温高湿試験 / HAST |
第 1 著者 氏名(和/英) | 谷 元昭 / Motoaki TANI |
第 1 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 中田 義弘 / Yoshihiro NAKATA |
第 2 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 神吉 剛司 / Tsuyoshi KANKI |
第 3 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 中村 友二 / Tomoji NAKAMURA |
第 4 著者 所属(和/英) | 株式会社富士通研究所 FUJITSU LABORATORIES LTD. |
発表年月日 | 2013-11-27 |
資料番号 | VLD2013-75,CPM2013-119,ICD2013-96,CPSY2013-60,DC2013-41,RECONF2013-43 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 325 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |