講演名 | 2014-04-11 ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化による高性能poly-Si TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) 山野 真幸, 黒木 伸一郎, 佐藤 旦, 小谷 光司, 吉川 公麿, |
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抄録(和) | ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化を用いて、100μmを超える長さのグレインを有し、(110)-(111)-(211)面方位に3軸配向性の高いpoly-si薄膜を形成した。このpoly-si薄膜を用い、低温プロセス(≪550℃)およびメタルゲートセルフアラインプロセスにて平行型および垂直型の薄膜トランジスタ(TFT)を作製し、平行型TFTにおいて線形領域で電子移動度560cm^2V^<-1>s^<-1>の高駆動力を示した。また、同一結晶化領域において電子移動度のばらつきは10%以下が得られ、移動度ばらつきの低減を示した。さらに特性の温度依存性について調べ、オフリーク電流メカニズムについての調査を行った。 |
抄録(英) | Highly biaxially oriented poly-Si thin films were formed by double-line beam continuous-wave laser lateral crystallization (DLB-CLC). Crystallinities of the poly-Si thin films were (110), (111), and (211) for the laser scan, transverse, and surface directions, respectively. Silicon grains were elongated in the laser scan direction and one-dimensionally very large silicon grains with lengths of more than 100 μm were fabricated. Using these poly-Si thin films, low-temperature poly-Si TFTs were fabricated at low temperature (≪550℃) and a TFT with a high electron field effect mobility of μ_ |
キーワード(和) | 薄膜トランジスタ / レーザ結晶化 / Poly-Si / CLC |
キーワード(英) | TFT / Laser crystallization / Poly-Si / CLC |
資料番号 | SDM2014-11,OME2014-11 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | OME |
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開催期間 | 2014/4/3(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ダブルラインビーム連続発振レーザラテラル結晶化による高性能poly-Si TFT(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication of High-Performance Poly-Si TFTs with Highly Biaxially-Oriented Poly-Si Thin Films by Double-Line Beam Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 薄膜トランジスタ / TFT |
キーワード(2)(和/英) | レーザ結晶化 / Laser crystallization |
キーワード(3)(和/英) | Poly-Si / Poly-Si |
キーワード(4)(和/英) | CLC / CLC |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山野 真幸 / Masayuki YAMANO |
第 1 著者 所属(和/英) | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(RNBS) Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University (RNBS) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro KUROKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(RNBS) Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University (RNBS) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 佐藤 旦 / Tadashi SATO |
第 3 著者 所属(和/英) | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(RNBS) Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University (RNBS) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 小谷 光司 / Koji KOTANI |
第 4 著者 所属(和/英) | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 吉川 公麿 / Takamaro KIKKAWA |
第 5 著者 所属(和/英) | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所(RNBS) Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University (RNBS) |
発表年月日 | 2014-04-11 |
資料番号 | SDM2014-11,OME2014-11 |
巻番号(vol) | vol.114 |
号番号(no) | 2 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |