| 講演名 | 2014-04-10 非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) 都甲 薫, 末益 崇, |
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| 抄録(和) | ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長Ge層の結晶性に大きく影響を与える重要成長パラメータを明らかにすると共に、これらを適正化することで、(111)面配向率が99%に及ぶ大粒径(～100μm)Ge層(50nm厚)をSiO_2基板上に形成した。さらに、成長機構を基にAlとGeの反応を促進することで、(111)面方位に優先配向した多結晶Ge層を180℃もの低温で形成した。安価なプラスチックを基材としたフレキシブルデバイスへの応用が期待される。 |
| 抄録(英) | We introduce Al-induced crystallization (AIC), a unique technique controlling the crystal orientation of polycrystalline Ge thin films on amorphous insulating substrates. The crystal quality of the Al-induced crystallized Ge layer is very sensitive to the growth parameters (e.g. thickness). By optimizing these parameters, we fabricated a 99% (111)-oriented Ge layer (50 nm) with large grains (～100 μm) on a SiO_2 substrate. Moreover, we promoted the reaction between Al and Ge based on the growth mechanism, and then achieved a (111)-oriented Ge layer at as low as 180 ℃. This achievement holds promise for fabricating Ge-based flexible devices on inexpensive plastic substrates. |
| キーワード(和) | ゲルマニウム / 薄膜 / 金属触媒誘起成長 / 結晶方位制御 |
| キーワード(英) | Germanium / Thin film / Metal-induced crystallization / Crystal orientation control |
| 資料番号 | SDM2014-6,OME2014-6 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/4/3(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Al-induced low-temperature crystallization for large-grained Ge(111) thin films on amorphous insulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / Thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 金属触媒誘起成長 / Metal-induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶方位制御 / Crystal orientation control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 都甲 薫 / Kaoru TOKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学数理物質系 University of Tsukuba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 末益 崇 / Takashi SUEMASU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 筑波大学数理物質系 University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2014-04-10 |
| 資料番号 | SDM2014-6,OME2014-6 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |