| 講演名 | 2014-04-10 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) 茂藤 健太, 崎山 晋, 酒井 崇嗣, 中嶋 一敬, 岡本 隼人, 高倉 健一郎, 角田 功, |
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| 抄録(和) | 電子線照射を施すことで初期非晶質性を変調させた非晶質Ge薄膜のAu誘起成長について調査した.その結果,2MeVの高エネルギー電子線を非晶質Ge薄膜に照射すると,電子線照射なしの場合に比べて約2倍もの速度で結晶成長が誘起されることが分かった.更に,横方向成長領域の結晶性は良好であった.これらの結果は,電子線照射を利用した金属誘起成長法が結晶化時間の短縮に有効であることを示している. |
| 抄録(英) | Au-induced crystallization for amorphous Ge (a-Ge) thin film on insulator is investigated as low-temperature crystallization method. However, low-temperature crystallization is required long annealing time (～a few hours) in this method. To reduce the annealing time for crystallization, we have examined the electron irradiation effect of Au-induced crystallization for a-Ge/SiO_2. As a result, the annealing time for crystallization is reduced to 1/2 by electron irradiation. In addition, the lateral crystallization region has high crystalline quality. These results suggest that Au-induced crystallization for a-Ge/SiO_2 is enhanced by electron irradiation. |
| キーワード(和) | 金属誘起成長 / 低温形成 / ゲルマニウム / 電子線照射 |
| キーワード(英) | Metal induced crystallization / Low temperature formation / Germanium / Electron irradiation |
| 資料番号 | SDM2014-5,OME2014-5 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/4/3(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす電子線照射の影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of electron irradiation on Au-induced crystallization for amorphous Ge/SiO_2-substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 金属誘起成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 低温形成 / Low temperature formation |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / Electron irradiation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 茂藤 健太 / Kenta MOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 崎山 晋 / Shin SAKIYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 崇嗣 / Takatsugu SAKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中嶋 一敬 / Kazutoshi NAKASHIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 隼人 / Hayato OKAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高倉 健一郎 / Kenichiro TAKAKURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 角田 功 / Isao TSUNODA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 Kumamoto National College of Technology |
| 発表年月日 | 2014-04-10 |
| 資料番号 | SDM2014-5,OME2014-5 |
| 巻番号（vol） | vol.114 |
| 号番号（no） | 2 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |