講演名 2014-04-10
フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般)
朴 鍾〓, 宮尾 正信, 佐道 泰造,
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抄録(和) フレキシブルエレクトロニクスの創成を目指し、絶縁基板上における擬似単結晶Geの低温形成を検討した。非晶質Ge/Au/絶縁基板の積層構造を用いた層交換成長法に、Ge/Au相互拡散制御、基板との界面エネルギー変調の手法を重畳した新しい結晶成長法を検討した。その結果、(100)または(111)方位を有する大粒径Ge結晶(≧20μm)の選択成長を低温(~250℃)で実現した。さらに、本手法をフレキシブルなプラスチック基板上に展開し、(111)方位を有する大粒径Ge結晶をプラスチック基板直上に実現した。本手法は、フレキシブルエレクトロニクスの基盤技術とした期待される。
抄録(英) Low-temperature (≤250℃) formation technique of orientation-controlled large-grain Ge thin films on insulator is desirable for realization of advanced flexible electronics. To achieve this, the Au-induced crystallization technique combined with inter-diffusion-control and interface-energy-modulation techniques has been investigated. Consequently, selective formation of (100) or (111)-oriented large-grain (>20 μm) Ge crystals on insulator have been realized. Moreover, formation of (111)-oriented large-grain Ge crystals directly on plastic substrates is demonstrated. This technique facilitates realization of future flexible electronics.
キーワード(和) フレキシブルエレクトロニクス / 擬似単結晶Ge / 金誘起層交換成長法
キーワード(英) flexible electronics / quasi-single-crystal Ge / Au-induced layer-exchange growth
資料番号 SDM2014-4,OME2014-4
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2014/4/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術,バイオテクノロジー,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フレキシブルエレクトロニクス / flexible electronics
キーワード(2)(和/英) 擬似単結晶Ge / quasi-single-crystal Ge
キーワード(3)(和/英) 金誘起層交換成長法 / Au-induced layer-exchange growth
第 1 著者 氏名(和/英) 朴 鍾〓 / Jong-Hyeok PARK
第 1 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学
Department of Electronics, Kyushu University
第 2 著者 氏名(和/英) 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO
第 2 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学
Department of Electronics, Kyushu University
第 3 著者 氏名(和/英) 佐道 泰造 / Taizoh SADOH
第 3 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学
Department of Electronics, Kyushu University
発表年月日 2014-04-10
資料番号 SDM2014-4,OME2014-4
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 2
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日