講演名 2014-04-18
ゲート電極表面処理による有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
塩飽 黎, 吉村 悠大, 福田 憲二郎, 熊木 大介, 時任 静士,
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抄録(和) 安定かつ良好な特性の有機CMOS回路を構成するために有機トランジスタの閾値電圧制御が必要である。従来の有機トランジスタの閾値電圧制御手法は移動度と安定性に悪影響を及ぼす恐れがあり、また真空蒸着プロセスが主であった。そこで本研究では塗布プロセスを用いて閾値電圧のみを制御することを目的とし実験を行った。ゲート電極表面を三酸化モリブデン(MoO_3)の水溶液で処理を行うことで最大1.4Vの閾値電圧の制御に成功した。これにより、印刷プロセスによる有機トランジスタの閾値電圧制御を期待できる。
抄録(英) For maximizing organic CMOS circuit performance, it is desirable to vary the threshold voltage (V_) of the organic thin film transistors (OTFTs). Several methods have been studied to achieve this V_ control in OTFTs. But These methods change mobility of the devices and is challenging to fabricate the devices in solution process. Despite successful control of the V_, we modified gate electrode surface with aqueous molybdenum trioxide (MoO_3) solution. We successfully controlled the 1.4V threshold voltage. Using this result, we believe control of threshold voltage in-lining in fully solution process.
キーワード(和) 有機トランジスタ / 閾値電圧制御 / 溶液プロセス / 仕事関数
キーワード(英) Organic thin-film transistor / Control of Threshold voltage / Solution Process / Work Function
資料番号 ED2014-12
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2014/4/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ゲート電極表面処理による有機薄膜トランジスタの閾値電圧制御(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Control of threshold voltage of organic thin film transistors by modifying gate electrode surface
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic thin-film transistor
キーワード(2)(和/英) 閾値電圧制御 / Control of Threshold voltage
キーワード(3)(和/英) 溶液プロセス / Solution Process
キーワード(4)(和/英) 仕事関数 / Work Function
第 1 著者 氏名(和/英) 塩飽 黎 / Rei SHIWAKU
第 1 著者 所属(和/英) 山形大学工学部:山形大学大学院有機エレクトロニクスセンター
Faculty of Engineering, Yamagata Univ.:Graduate School of Science and Engineering, Yamagata Univ.
第 2 著者 氏名(和/英) 吉村 悠大 / Yudai YOSHIMURA
第 2 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科:山形大学大学院有機エレクトロニクスセンター
Research Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.:Graduate School of Science and Engineering, Yamagata Univ.
第 3 著者 氏名(和/英) 福田 憲二郎 / Kenjiro FUKUDA
第 3 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科:山形大学大学院有機エレクトロニクスセンター
Research Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.:Graduate School of Science and Engineering, Yamagata Univ.
第 4 著者 氏名(和/英) 熊木 大介 / Daisuke KUMAKI
第 4 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科:山形大学大学院有機エレクトロニクスセンター
Research Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.:Graduate School of Science and Engineering, Yamagata Univ.
第 5 著者 氏名(和/英) 時任 静士 / Shizuo TOKITO
第 5 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科:山形大学大学院有機エレクトロニクスセンター
Research Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.:Graduate School of Science and Engineering, Yamagata Univ.
発表年月日 2014-04-18
資料番号 ED2014-12
巻番号(vol) vol.114
号番号(no) 12
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日