| 講演名 | 2014-03-04 有機電荷移動錯体を用いた結晶トランジスタの作製と特性評価(有機デバイス,有機半導体材料,機能性材料,一般) 酒井 正俊, 増尾 和哉, 森年 規文, 奥村 朗人, 國吉 繁一, 山内 博, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | 有機電荷移動錯体には電子相関の効果によってさまざまな相転移を示す結晶が知られている。特に近年、電界秩序やモット絶縁体などの電子状態と光や電場により誘起される準安定相を探索する研究が盛んに行われてきた。本研究では有機電荷移動錯体の結晶を用いて電界効果トランジスタ構造を形成して、ゲート電界によって相転移を誘起することを試みた。観測されたゲート電界の効果は非常に小さいものの、バルク結晶の金属-絶縁体転移温度近傍において、転移温度の低温側へのシフトを示す結果が得られた。 |
| 抄録(英) | Many electronic phase are known in highly correlated organic materials. In recent years, charge order and Mott insulator, and coexisting metastable phase which are induced by applied photoexcitation or electric field attracted wide interest and extensive study were carried out. In this study, organic field-effect transistor were fabricated by using organic charge transfer complex crystals and we tried to induce phase transition by applying an external gate electric field. Although the observed effect of the external gate electric field was very small, we found the lower-side shift of the phase transition temperature. |
| キーワード(和) | 強相関電子 / 電荷秩序 / 有機導体 / 有機半導体 / 金属-絶縁体転移 / 電界効果トランジスタ |
| キーワード(英) | electron correlation / charge order / organic conductor / organic semiconductor / metal-insulator transition / field effect transistor |
| 資料番号 | OME2013-93 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2014/2/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機電荷移動錯体を用いた結晶トランジスタの作製と特性評価(有機デバイス,有機半導体材料,機能性材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Device Characteristics of Crystalline Transistor of Organic Charge Transfer Complexes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強相関電子 / electron correlation |
| キーワード(2)（和/英） | 電荷秩序 / charge order |
| キーワード(3)（和/英） | 有機導体 / organic conductor |
| キーワード(4)（和/英） | 有機半導体 / organic semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | 金属-絶縁体転移 / metal-insulator transition |
| キーワード(6)（和/英） | 電界効果トランジスタ / field effect transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増尾 和哉 / Kazuya MASUO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森年 規文 / Norifumi MORITOSHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 朗人 / Akito OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 國吉 繁一 / Shigekazu KUNIYOSHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山内 博 / Hiroshi YAMAUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Chiba University |
| 発表年月日 | 2014-03-04 |
| 資料番号 | OME2013-93 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 461 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |