| 講演名 | 2014-02-28 Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察(機能ナノデバイス及び関連技術) 大野 裕輝, 廣井 孝弘, 工藤 昌輝, 浜田 弘一, 有田 正志, 高橋 庸夫, |
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| 抄録(和) | 固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では,固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作原理として有力視されているが、その詳細は未解明である。我々はReRAMの動作機構を評価するため、Cu/MoO_x構造のReRAMのスイッチ動作の詳細を、その場TEM手法により観察した。TEM内で実デバイスのメモリ特性を再現でき、Set時にはCuフィラメントの形成、Reset時には消失が起こった。繰り返しスイッチ評価をしたところ、フィラメントは一か所で形成-消滅を繰り返すわけでなく、その位置を変えることが観察された。 |
| 抄録(英) | While a conductive filament formed by movement of the metal ions in the solid electrolyte is considered as the mechanism of resistive random access memory (ReRAM), the details of conductive filaments are still unknown. In order to investigate the switching mechanism of the ReRAM, we examined the details of switching operation of ReRAM made of Cu/MoO_x using in-situ TEM. The I-V characteristics obtained from actual devices were reproduced also at the measurements in TEM. During the Set and the Reset processes, formation and rupture of Cu filaments were clearly observed. When the repeated switching behavior was investigated in TEM, it was found that the filament position can change at individual switching operation. |
| キーワード(和) | 抵抗変化メモリ / 固体電解質 / in-situ TEM |
| キーワード(英) | Resistive Random Access Memory(ReRAM) / Solid Electrolyte / in-situ TEM |
| 資料番号 | ED2013-148,SDM2013-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/2/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察(機能ナノデバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct observation of conductive filaments during MoOx/Cu ReRAM switching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / Resistive Random Access Memory(ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | 固体電解質 / Solid Electrolyte |
| キーワード(3)（和/英） | in-situ TEM / in-situ TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大野 裕輝 / Yuuki OHNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣井 孝弘 / Takahiro HIROI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 工藤 昌輝 / Masaki KUDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘一 / Kouichi HAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 有田 正志 / Masashi ARITA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 庸夫 / Yasuo TAKAHASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido Univ. |
| 発表年月日 | 2014-02-28 |
| 資料番号 | ED2013-148,SDM2013-163 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 449 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |