講演名 2014-02-27
SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性(電池技術関連,一般)
舩津 龍浩, 田中 哲郎,
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抄録(和) SiC-BGSIT(埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ)はSi-MOSFETと同等のスイッチング速度を持ち、より高耐圧、低オン抵抗であるという特長を持つ。本報告では、ノーマリオンSiC-BGSITを組み込んだ部分共振形プッシュプルコンバータの定常特性と動特性について発表する。比較としてSi-MOSFETを用いた回路との特性比較を行い、検討した結果をまとめる。
抄録(英) SiC-BGSIT (Buried Gate Static Induction Transistor) has the advantage Si-MOSFET of high breakdown voltage and low on state resistance. and moreover, SiC-BGSIT has high switching speed equal to that of Si-MOSFET. We report results are dynamics and steady-state characteristics of partial-resonant push-pull converter employing normally-on SiC-BGSIT and employing Si-MOSFET. We compared SiC-BGSIT with Si-MOSFET.
キーワード(和) SiC / BGSIT / 電圧共振 / 部分共振 / プッシュプルコンバータ
キーワード(英) SiC / BGSIT / voltage-resonant / partial-resonant / push-pull converter
資料番号 EE2013-57,CPM2013-158
発行日

研究会情報
研究会 EE
開催期間 2014/2/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Energy Engineering in Electronics and Communications (EE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性(電池技術関連,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Operating characteristics of partial-resonant push-pull converter employing SiC-BGSIT
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC
キーワード(2)(和/英) BGSIT / BGSIT
キーワード(3)(和/英) 電圧共振 / voltage-resonant
キーワード(4)(和/英) 部分共振 / partial-resonant
キーワード(5)(和/英) プッシュプルコンバータ / push-pull converter
第 1 著者 氏名(和/英) 舩津 龍浩 / Tatsuhiro FUNATSU
第 1 著者 所属(和/英) 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻
Kagoshima University
第 2 著者 氏名(和/英) 田中 哲郎 / Tetsuro TANAKA
第 2 著者 所属(和/英) 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻
Kagoshima University
発表年月日 2014-02-27
資料番号 EE2013-57,CPM2013-158
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 444
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日