講演名 | 2014-02-27 SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性(電池技術関連,一般) 舩津 龍浩, 田中 哲郎, |
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抄録(和) | SiC-BGSIT(埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ)はSi-MOSFETと同等のスイッチング速度を持ち、より高耐圧、低オン抵抗であるという特長を持つ。本報告では、ノーマリオンSiC-BGSITを組み込んだ部分共振形プッシュプルコンバータの定常特性と動特性について発表する。比較としてSi-MOSFETを用いた回路との特性比較を行い、検討した結果をまとめる。 |
抄録(英) | SiC-BGSIT (Buried Gate Static Induction Transistor) has the advantage Si-MOSFET of high breakdown voltage and low on state resistance. and moreover, SiC-BGSIT has high switching speed equal to that of Si-MOSFET. We report results are dynamics and steady-state characteristics of partial-resonant push-pull converter employing normally-on SiC-BGSIT and employing Si-MOSFET. We compared SiC-BGSIT with Si-MOSFET. |
キーワード(和) | SiC / BGSIT / 電圧共振 / 部分共振 / プッシュプルコンバータ |
キーワード(英) | SiC / BGSIT / voltage-resonant / partial-resonant / push-pull converter |
資料番号 | EE2013-57,CPM2013-158 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | EE |
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開催期間 | 2014/2/20(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SiC-BGSITを用いた部分共振形プッシュプルコンバータの動作特性(電池技術関連,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Operating characteristics of partial-resonant push-pull converter employing SiC-BGSIT |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SiC / SiC |
キーワード(2)(和/英) | BGSIT / BGSIT |
キーワード(3)(和/英) | 電圧共振 / voltage-resonant |
キーワード(4)(和/英) | 部分共振 / partial-resonant |
キーワード(5)(和/英) | プッシュプルコンバータ / push-pull converter |
第 1 著者 氏名(和/英) | 舩津 龍浩 / Tatsuhiro FUNATSU |
第 1 著者 所属(和/英) | 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻 Kagoshima University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 田中 哲郎 / Tetsuro TANAKA |
第 2 著者 所属(和/英) | 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻 Kagoshima University |
発表年月日 | 2014-02-27 |
資料番号 | EE2013-57,CPM2013-158 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 444 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |