| 講演名 | 2014-02-27 SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について(電池技術関連,一般) 井 幸孝, 小川 晃史, 田中 哲郎, |
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| 抄録(和) | 本稿の目的は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(SiC-BGSIT)のドレイン-ゲート間相互作用による誤動作の発生条件を実験的に調べ、その結果からSiC-BGSITのSPICE素子モデルを構築することである。ドレイン-ゲート間相互作用の実験では、実験が容易で素子破壊の起こりにくい並列構成を用いている。回路シミュレーションによりドレイン-ゲート間相互作用の定量的な解析を行うため、SPICE素子モデルの構築を試みた。SPICE3にはSITの素子モデルが存在しないため、特性の近いJFETモデルで代用した結果、実験と一致しない場合も見られた。 |
| 抄録(英) | The objective of this report is to experimentally investigate the occurrence conditions of false operation caused by the drain-to-gate interaction of a SiC buried-gate static-induction-transistor (SiC-BGSIT) and to make a SPICE element model of the device. In the experiments on the drain-to-gate interaction, the parallel-structured circuit by which the experiments are easily performed and the devices are protected is employed. To conduct the quantitative analysis of the drain-to-gate interaction through circuit simulations, a SPICE element model of the SiC-BGSIT was build on trial. The SPICE3 JFET model is used for the SiC-BGSIT; in some cases simulation results do not correspond with experimental results. |
| キーワード(和) | SiC / BGSIT / ドレイン-ゲート間相互作用 / SPICE |
| キーワード(英) | SiC / BGSIT / drain-gate interactions / SPICE |
| 資料番号 | EE2013-56,CPM2013-157 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2014/2/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Energy Engineering in Electronics and Communications (EE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiC-BGSIT素子のスイッチング特性と等価回路について(電池技術関連,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On switching characteristics and equivalent circuit of SiC-BGSIT device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | BGSIT / BGSIT |
| キーワード(3)（和/英） | ドレイン-ゲート間相互作用 / drain-gate interactions |
| キーワード(4)（和/英） | SPICE / SPICE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井 幸孝 / Yukitaka I |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻 Kagoshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小川 晃史 / Akihumi OGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学工学部電気電子工学科 Kagoshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 哲郎 / Tetsuro TANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 鹿児島大学理工学研究科電気電子工学専攻 Kagoshima University |
| 発表年月日 | 2014-02-27 |
| 資料番号 | EE2013-56,CPM2013-157 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 444 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |