| 講演名 | 2014-01-28 1Xnm NANDフラッシュメモリの各書き換え回数における最適な非対称符号化手法(ポスターセッション,学生・若手研究会) 山崎 泉樹, 田中丸 周平, 竹内 健, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | NANDフラッシュメモリ / 非対称符号 / 信頼性 |
| キーワード(英) | NAND flash memory / asymmetric coding / reliability |
| 資料番号 | ICD2013-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2014/1/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1Xnm NANDフラッシュメモリの各書き換え回数における最適な非対称符号化手法(ポスターセッション,学生・若手研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Optimum Asymmetric Coding in Each Number of PE cycle for 1Xnm NAND Flash Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 非対称符号 / asymmetric coding |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 泉樹 / Senju YAMAZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学系 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中丸 周平 / Shuhei TANAKAMARU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学系:東京大学大学院工学系電気系工学専攻 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University:Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 竹内 健 / Ken TAKEUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学理工学部電気電子情報通信工学系 Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 発表年月日 | 2014-01-28 |
| 資料番号 | ICD2013-106 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 419 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 19 |
| 発行日 | |