| 講演名 | 2014-01-29 P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 槇山 秀樹, 山本 芳樹, 篠原 博文, 岩松 俊明, 尾田 秀一, 杉井 信之, 石橋 孝一郎, 水谷 朋子, 平本 俊郎, 山口 泰男, |
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| 抄録(和) | 薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし,超低電圧領域で起こる伝播遅延時間(τ_ |
| 抄録(英) | Small-variability transistors such as silicon on thin buried oxide (SOTB) are effective for reducing the operation voltage (V_ |
| キーワード(和) | SOTB / SOI / 基板バイアス / リングオシレータ / τ_ |
| キーワード(英) | SOTB / SOI / back bias / ring oscillator / τ_ |
| 資料番号 | SDM2013-143 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of Die-to-Die Delay Variability of Silicon on Thin Buried Oxide (SOTB) CMOS Circuits by Balanced P/N Drivability Control with Back-Bias for Ultralow-Voltage (0.4V) Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOTB / SOTB |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | 基板バイアス / back bias |
| キーワード(4)（和/英） | リングオシレータ / ring oscillator |
| キーワード(5)（和/英） | τ_ |
| キーワード(6)（和/英） | ばらつき / variability |
| キーワード(7)（和/英） | 超低電圧 / ultra-low voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 槇山 秀樹 / H. Makiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 芳樹 / Y. Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠原 博文 / H. Shinohara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩松 俊明 / T. Iwamatsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 尾田 秀一 / H. Oda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 杉井 信之 / N. Sugii |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / K. Ishibashi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 電気通信大学情報理工学研究科 The University of Electro-Communications |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / T. Mizutani |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 The University of Tokyo |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / T. Hiramoto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 The University of Tokyo |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山口 泰男 / Y. Yamaguchi |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) Low-power Electronics Association & Project |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-143 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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