| 講演名 | 2014-01-29 適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 野口 紘希, 武田 進, 野村 久美子, 安部 恵子, 池上 一隆, 北川 英二, 下村 尚治, 伊藤 順一, 藤田 忍, |
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| 抄録(和) | 高速・低消費電力型の垂直磁化方式STT-MRAMを用いた、容量と速度がアプリケーションに応じて、可変となる新しい混載メモリ回路技術について紹介する。 |
| 抄録(英) | This paper presents a novel embedded memory circuit based on high-speed and low-power memory using perpendicular STT-MRAM where memory density and speed are variable and adjustable to various applications. |
| キーワード(和) | STT-MRAM / 混載メモリ / メモリ演算 |
| キーワード(英) | STT-RAM / Embedded memories / Memory based computing |
| 資料番号 | SDM2013-141 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 適応的コンピューティングシステムのための容量可変不揮発メモリアレイ(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Variable Nonvolatile Memory Arrays for Adaptive Computing Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STT-MRAM / STT-RAM |
| キーワード(2)（和/英） | 混載メモリ / Embedded memories |
| キーワード(3)（和/英） | メモリ演算 / Memory based computing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 紘希 / Hiroki NOGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武田 進 / Susumu TAKEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 久美子 / Kumiko Nomura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安部 恵子 / Keiko ABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池上 一隆 / Kazutaka IKEGAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 北川 英二 / Eiji KITAGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 下村 尚治 / Naoharu SHIMOMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順一 / Junichi ITO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 藤田 忍 / Shinobu FUJITA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-141 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 28 |
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