| 講演名 | 2014-01-29 Si上III-V族化合物半導体ナノワイヤの集積 : 高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 冨岡 克広, 福井 孝志, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相選択成長法によるSi上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤの異種集積技術、等価酸化膜厚1nm以下のゲート酸化膜と、変調ドープ構造を有した高性能縦型FETの作製、III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面を用いた急峻なサブスレッショルド係数をもつ低電圧トランジスタ応用の最近の研究進展について述べる。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2013-139 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si上III-V族化合物半導体ナノワイヤの集積 : 高性能縦型FETと低電圧トランジスタ応用(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integration of III-V nanowires on Si : From high-performance vertical FET to steep-slope switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 冨岡 克広 / Katsuhiro Tomioka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学・大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Information Science and Technology, Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福井 孝志 / Takashi Fukui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 科学技術振興機構さきがけ Japan Science and Technology Agency (JST)-PRESTO |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-139 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |