| 講演名 | 2014-01-29 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 水林 亘, [オノ]田 博, 中島 良樹, 石川 由紀, 松川 貴, 遠藤 和彦, 柳 永〓, 大内 真一, 塚田 順一, 山内 洋美, 右田 真司, 森田 行則, 太田 裕之, 昌原 明植, |
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| 抄録(和) | 高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響を調べた。高温イオン注入により,11nmの極薄SOI層において,イオン注入後も結晶状態が維持され,活性化アニールにより無欠陥な結晶が得られる。高温イオン注入を行ったnMOS及びpMOS FinFETsにおけるI_| ばらつき,BTI特性の何れも室温イオン注入に比べ改善することが分かった。 | |
| 抄録(英) | The impact of heated ion implantation (I/I) technology on metal-gate (MG)/high-k (HK) CMOS SOI FinFET performance and reliability has been thoroughly investigated. It was demonstrated that heated I/I brings perfect crystallization after annealing even in ultrathin Si channel. For the first time, it was found that heated I/I dramatically improves the characteristics such as I_| variability, and bias temperature instability (BTI) for both nMOS and pMOS FinFETs in comparison with conventional room temperature I/I. | |
| キーワード(和) | FinFETs / ソース/ドレインExtension / 高温イオン注入 / 結晶化 / I_ |
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| キーワード(英) | FinFETs / Source/drain Extension / Heated Ion Implantation / Crystallization / I_ |
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| 資料番号 | SDM2013-138 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heated Ion Implantation Technology for Highly Reliable Metal-gate/High-k CMOS SOI FinFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFETs / FinFETs |
| キーワード(2)（和/英） | ソース/ドレインExtension / Source/drain Extension |
| キーワード(3)（和/英） | 高温イオン注入 / Heated Ion Implantation |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶化 / Crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | I_ |
| キーワード(6)（和/英） | I_ |
| キーワード(7)（和/英） | BTI特性 / BTI Characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru MIZUBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | [オノ]田 博 / Hiroshi ONODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中島 良樹 / Yoshiki NAKASHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 由紀 / Yuki ISHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi MATSUKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko ENDO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 柳 永〓 / Yongxun LIU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 大内 真一 / Shinichi O'UCHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 塚田 順一 / Junichi TSUKADA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 山内 洋美 / Hiromi YAMAUCHI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 右田 真司 / Shinji MIGITA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori MORITA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki OTA |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 昌原 明植 / Meishoku MASAHARA |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-138 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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