| 講演名 | 2014-01-29 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 入沢 寿史, 小田 穣, 池田 圭司, 守山 佳彦, 三枝 栄子, / 前田 辰郎, 市川 麿, 長田 剛規, 秦 雅彦, 宮本 恭幸, 手塚 勉, |
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| 抄録(和) | (111)B面をチャネルとする底辺30nmの三角形状In_<0.53>Ga_<0.47>AS-OI nMOSFETsをSi基板上に作製する事に成功した.三角形状チャネルは微細InGaAs-OI Fin構造にMOVPE成長を施す事で形成した.形成された(111)B面の移動度は,通常トライゲート素子比1.9倍,バルク(100)素子比1.6倍の値を示した.ノイズ特性やヒステリシス特性の結果から,この移動度増大は伝導帯中の界面準位低減とそれによるキャリアトラップの減少によりもたらされている事が示唆された.また,チャネル長300nmの素子において,930uA/um(@V_g=2.0V,V_d=0.5V)という高いオン電流が確認され,高性能・低消費電力CMOS応用へ向けた本素子の高い潜在能力が示された. |
| 抄録(英) | Triangular In_<0.53>Ga_<0.47>As-OI nMOSFETs with smooth (111)B side surfaces on Si have been successfully fabricated. The triangular shaped channels with bottom width down to 30 nm were formed by MOVPE growth on narrow InGaAs-OI fins. The formed (111)B surface provided higher mobility compared with reference InGaAs-OI tri-gate (1.9x) as well as bulk (100) InGaAs nMOSFETs (1.6x), which is possibly due to reduced D_ |
| キーワード(和) | InGaAs-OI MOSFET / 高移動度 / 三角形状チャネル / マルチゲート / (111)B面 |
| キーワード(英) | InGaAs-OI MOSFET / High mobility / Triangular channel / Multi-gate / (111)B surface |
| 資料番号 | SDM2013-137 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs-OI MOSFET / InGaAs-OI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 高移動度 / High mobility |
| キーワード(3)（和/英） | 三角形状チャネル / Triangular channel |
| キーワード(4)（和/英） | マルチゲート / Multi-gate |
| キーワード(5)（和/英） | (111)B面 / (111)B surface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 入沢 寿史 / Toshifumi IRISAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小田 穣 / Minoru ODA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 圭司 / Keiji IKEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 守山 佳彦 / Yoshihiko MORIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三枝 栄子 / Eiko MIEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | / 前田 辰郎 / Wipakorn JEVASUWAN |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 市川 麿 / Taturou MAEDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center (GNC), AIST |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 長田 剛規 / Osamu ICHIKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 Sumitomo Chemical Co. Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 秦 雅彦 / Takenori OSADA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 Sumitomo Chemical Co. Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Masahiko HATA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社 Sumitomo Chemical Co. Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 手塚 勉 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-137 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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