| 講演名 | 2014-01-29 2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) 長汐 晃輔, 金山 薫, 西村 知紀, 鳥海 明, |
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| 抄録(和) | 2層グラフェン上に堆積したY_2O_3絶縁膜に高圧酸素アニールを行い低電界リーグを低減した結果,デュアルゲートの2層グラフェンにおいてDisplacementとして既存の固体絶縁膜の中で最も高い～8V/nm(n=～4×10^<13>cm^2)を達成した.ギャップ内準位のトラップサイトの起源や高エネルギー側のサブバンド散乱等を議論する. |
| 抄録(英) | We demonstrate the ultra-high displacement (D) of ～8 V/nm (n = ～4×10^<13> cm^<-2>) in bilayer graphene using the solid state Y_2O_3 top gate, which has been reached only by the ion gating so far. The systematic comparison of I-V and C-V curves at high D elucidates that the carriers in bilayer graphene electrically communicate with trap sites within the band gap and that the filling of carriers in the high energy sub-bands results in the reduction of the conductivity due to the inter-band scattering. |
| キーワード(和) | グラフェン / 高圧酸素アニール / high-k / 量子容量 |
| キーワード(英) | Graphene / High-pressure O_2 anneal / High-k / Quantum capacitance |
| 資料番号 | SDM2013-135 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2014/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier response in band gap and multiband transport in bilayer graphene under the ultra-high displacement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 高圧酸素アニール / High-pressure O_2 anneal |
| キーワード(3)（和/英） | high-k / High-k |
| キーワード(4)（和/英） | 量子容量 / Quantum capacitance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長汐 晃輔 / K. NAGASHIO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金山 薫 / K. KANAYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西村 知紀 / T. NISHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鳥海 明 / A. TORIUMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学マテリアル工学専攻 Department of Materials Engineering, The University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2014-01-29 |
| 資料番号 | SDM2013-135 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 420 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |