| 講演名 | 2014-01-16 MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般) 金澤 徹, 三嶋 裕一, 木下 治紀, 上原 英治, 宮本 恭幸, |
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| 抄録(和) | 次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。そのさらなる性能向上を目指して、トライゲート構造による優れた電流制御性と、MOVPE再成長を用いてチャネル層を覆う形で配置されたn^+-InGaAsソース領域による高い電流供給能力を併せ持つデバイス構造を提案する。本報告では立体型チャネル構造へのソース再成長プロセスと、これを用いて試作したデバイスの電流特性について報告する。 |
| 抄録(英) | InGaAs MOSFETs are attractive candidate for future high-speed and low-power-consumption devices. To enhance the performance of that, we propose a novel device structure contains the superior current controllability due to the tri-gate structure and the high current drivability due to the n^+-InGaAs source surrounding the non-planar channel. In this report, we demonstrate the source regrowth process for non-planar channel structure and current characteristics of the device fabricated by using regrowth. |
| キーワード(和) | MOSFET / InGaAs / 高移動度チャネル / マルチゲートデバイス / MOVPE |
| キーワード(英) | MOSFET / InGaAs / high mobility channel / multigate device / MOVPE |
| 資料番号 | ED2013-115,MW2013-180 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2014/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwaves (MW) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| キーワード(4)（和/英） | マルチゲートデバイス / multigate device |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Toru KANAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三嶋 裕一 / Yuichi MISHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木下 治紀 / Haruki KINOSHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上原 英治 / Eiji UEHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2014-01-16 |
| 資料番号 | ED2013-115,MW2013-180 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 379 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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