| 講演名 | 2014-01-17 交さ偏波を放射しない120GHz帯中空導波管横方向スロット1次元アレーアンテナ(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般) ユン ニーウィン, 佐野 誠, 広川 二郎, 安藤 真, 竹内 淳, 枚田 明彦, |
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| 抄録(和) | 中空方形導波管横方向スロット1次元アレーにおいて,その両側に設けた2本の導波管で交互に放射素子を給電することで素子間隔が約1/2管内波長となり自由空間波長より短いため,いずれの方向にも交さ偏波は放射されない.高利得2次元アレーアンテナの主ビーム方向制御を目的として,設計周波数125GHzで素子間隔を調整し主ビームをチルトさせた16素子スロットアレーを設計した.整合放射素子を除き励振振幅偏差が1dB以内となり,反射が-14dB以下(VSWR≤1.5)の帯域の計算結果は13.4%が得られた. |
| 抄録(英) | In a linear array of transverse slots on a hollow rectangular waveguide, the radiating slots are alternately fed by two rectangular waveguides placed at their sides. The element spacing becomes about a half guided wavelength, which is shorter than a free-space wavelength, so that no cross-polarization is radiated in any directions. The authors have designed a 16-element beam tilt array by adjusting the slot spacing at 125 GHz to control the main-beam direction of a high-gain two-dimension array. The excitation amplitude deviation is within 1 dB except the matching radiating slots and the bandwidth for the reflection less than -14 dB (VSWR≤1.5) is 13.4%. |
| キーワード(和) | 横方向スロット1次元アレー / グレーティングローブ抑圧 / ビームチルト |
| キーワード(英) | Linear array of transverse slots / grating lobe suppression / beam tilting |
| 資料番号 | ED2013-126,MW2013-191 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2014/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 交さ偏波を放射しない120GHz帯中空導波管横方向スロット1次元アレーアンテナ(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Linear Array of Transverse Slots without Cross-polarization on a Hollow Rectangular Waveguide in the 120-GHz Band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 横方向スロット1次元アレー / Linear array of transverse slots |
| キーワード(2)（和/英） | グレーティングローブ抑圧 / grating lobe suppression |
| キーワード(3)（和/英） | ビームチルト / beam tilting |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ユン ニーウィン / Nhu Quyen DUONG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 誠 / Makoto SANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 広川 二郎 / Jiro HIROKOWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安藤 真 / Makoto ANDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院電気電子工学専攻 Dept. of Electrical and Electronic Eng., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 淳 / Jun TAKEUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 枚田 明彦 / Akihiko HIRATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTマイクロシステムインテグレーション研究所 Microsystem Integration Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-01-17 |
| 資料番号 | ED2013-126,MW2013-191 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 378 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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