講演名 2014-01-23
Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
西 英隆, 開 達郎, 土澤 泰, 高 磊, 武田 浩太郎, 石川 靖彦, 和田 一実, 福田 浩, 山田 浩治, 山本 剛,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) Siフォトニクスデバイスの長距離光通信応用に向けてSi-Ge-石英光集積プラットフォームを開発し、同プラットフォーム上に集積した光導波路デバイスの良好な特性を確認した。また、石英系AWGとGe PDアレイをモノリシック集積したWDMレシーバを作製し、さらに長距離伝送実験にて作製したデバイスを適用し、40km伝送後の12.5Gb/s信号のエラーフリー受信を確認した。
抄録(英) Towards the implementation of Si photonic devices for long-haul, metro, and access telecom networks, we developed Si-Ge-silica photonic integration platform. Waveguide devices integrated on the platform exhibited promising performance. In addition, we fabricated WDM receiver consists of SiOx AWG and Ge PD array on this platform, performed long-distance transmission experiment, and confirmed error-free detection of 12.5-Gb/s signal after 40-km transmission.
キーワード(和) Siフォトニクス / モノリシック集積 / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD
キーワード(英) Si photonics / monolithic integration / ECR-CVD / WDM / AWG / Ge PD
資料番号 PN2013-60,OPE2013-174,LQE2013-160,EST2013-109,MWP2013-80
発行日

研究会情報
研究会 EST
開催期間 2014/1/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electronic Simulation Technology (EST)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Si-Ge-silica monolithic photonic integration platform and application to WDM receiver
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Siフォトニクス / Si photonics
キーワード(2)(和/英) モノリシック集積 / monolithic integration
キーワード(3)(和/英) ECR-CVD / ECR-CVD
キーワード(4)(和/英) WDM / WDM
キーワード(5)(和/英) AWG / AWG
キーワード(6)(和/英) Ge PD / Ge PD
第 1 著者 氏名(和/英) 西 英隆 / Hidetaka NISHI
第 1 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 開 達郎 / Tatsurou Hiraki
第 2 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 土澤 泰 / Tai TSUCHIZAWA
第 3 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 高 磊 / Rai KOU
第 4 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 武田 浩太郎 / Kotaro TAKEDA
第 5 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 6 著者 氏名(和/英) 石川 靖彦 / Yasuhiko ISHIKAWA
第 6 著者 所属(和/英) 東京大学マテリアル工学専攻
Dept. of Material Engineering, University of Tokyo
第 7 著者 氏名(和/英) 和田 一実 / Kazumi WADA
第 7 著者 所属(和/英) 東京大学マテリアル工学専攻
Dept. of Material Engineering, University of Tokyo
第 8 著者 氏名(和/英) 福田 浩 / Hiroshi FUKUDA
第 8 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.
第 9 著者 氏名(和/英) 山田 浩治 / Koji YAMADA
第 9 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社:NTTナノフォトニクスセンタ日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.:NTT Nanophotonics Ctr. NTT Corp.
第 10 著者 氏名(和/英) 山本 剛 / Tsuyoshi YAMAMOTO
第 10 著者 所属(和/英) NTTマイクロシステムインテグレーション研究所日本電信電話株式会社
NTT Microsystem Integration Labs. NTT Corp.
発表年月日 2014-01-23
資料番号 PN2013-60,OPE2013-174,LQE2013-160,EST2013-109,MWP2013-80
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 396
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日