| 講演名 | 2014-01-23 SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般) 小林 亘, 藤澤 剛, 都築 健, 大礒 義孝, 金澤 慈, 進藤 隆彦, 山中 孝之, 三条 広明, |
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| 抄録(和) | 100Gb/sを超える大容量光源の実現を目指し,直接変調レーザのモノリシックアレイ集積の検討を行った.同一基板に作製した素子を差動25.8Gb/sで駆動する条件での動作波長範囲拡大の検討を行った.アレイ光源での差動駆動実現のためSI基板に素子を作製した.微分利得と緩和振動周波数の増大を目指し,InGaAlAsの活性層を用い,共振器長を200μmとした.動作波長範囲の拡大の為にデチューニング量に着目し,駆動条件下において5nm以下になるように波長設計した.その結果,30nmの波長範囲でE/O 3dB帯域20GHz以上,差動駆動25.8Gb/sの明瞭なアイ開口,エラーフリー動作を確認した. |
| 抄録(英) | We design and fabricate directly modulated lasers (DMLs) with a wide wavelength range on one InP wafer to realize a large-capacity monolithically integrated light source array at a data rate of over 100Gb/s. To realize push-pull operation, the DMLs are fabricated on a semi-insulating (SI) InP substrate. We also employ InGaAlAs to form a multiple quantum well (MQW) structure and set the cavity length at 200μm to increase the differential gain and frequency of the relaxation oscillations. To extend the operating wavelength range, we focus the wavelength detuning (Δλ) and design it to be 5nm under operating conditions. We achieve a 3-dB-down frequency bandwidth of over 20GHz and obtain clear eye openings at 25.8-Gb/s and error free operation with a push-pull driving configuration for a 30-nm operating wavelength range. |
| キーワード(和) | 直接変調レーザ / InGaAlAs / 差動駆動 / 25.8Gb/s |
| キーワード(英) | Directly modulated laser / InGaAlAs / push-pull driving / 25.8Gb/s |
| 資料番号 | PN2013-58,OPE2013-172,LQE2013-158,EST2013-107,MWP2013-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MWP |
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| 開催期間 | 2014/1/16(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Microwave and Millimeter-wave Photonics (MWP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8Gb/s 30nm波長範囲動作(光-無線融合NW、新周波数(波長)帯デバイス、フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Wide operating wavelength range of 30nm with 25.8-Gb/s push-pull-driven InGaAlAs DMLs on semi-insulating InP substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 直接変調レーザ / Directly modulated laser |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | 差動駆動 / push-pull driving |
| キーワード(4)（和/英） | 25.8Gb/s / 25.8Gb/s |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 亘 / Wataru KOBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤澤 剛 / Takeshi FUJISAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 都築 健 / Ken TSUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大礒 義孝 / Yoshitaka OHISO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金澤 慈 / Shigeru KANAZAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 進藤 隆彦 / Takahiko SHINDO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山中 孝之 / Takayuki YAMANAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三条 広明 / Hiroaki SANJOH |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2014-01-23 |
| 資料番号 | PN2013-58,OPE2013-172,LQE2013-158,EST2013-107,MWP2013-78 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 397 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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