| 講演名 | 2013-10-25 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 名田 允洋, 村本 好史, 横山 春喜, 石橋 忠夫, 松崎 秀昭, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | シリアルレート25Gbit/s級光通信への適用にむけた,アバランシェフォトダイオード(APD)の高性能化技術について報告する.作製プロセスが容易で,暗電流の低減およびエッジブレークダウンの回避を可能とする反転型構造を用い,増倍層として,低雑音性および高利得帯域積を実現する薄層InAIAsを,また光吸収層として高速・高感度動作を可能とするp-/undoped-InGaAsによる複合光吸収層を用いることで,高速・高増倍感度動作を可能とした.更に,ダイナミックレンジ拡大のため,従来の反転型構造に加え,障壁緩和層を導入することにより,InAIAs増倍層を用いたAPDとしては低利得状態からの高速動作を確認した.これらの結果は,伝送距離の拡大,および小型・低消費電力化が求められる100Gbiゼs級中距離系の光ネットワークに向けた光トランシーバの実現を可能とするものである. |
| 抄録(英) | We present high-performance In AlAs avalanche photodiode (APD) for 25-Gbit/s high-speed optical fiber communications systems. Thin In AlAs avalanche layer, which provides low excess noise and large gain-bandwidth product, and the composite absorption layer consisting of p-/undoped In GaAs enable high sensitivity and high speed operation of an APD. Furthermore, a potential-gap relaxing layer is employed in order to extending dynamic range of the APD. Thus, we obtained high-speed operation with relatively low gain for the In AlAs-APD. These results promise that our developed APD is applicable for 100-Gbit/s loss-limited optical fiber communications systems, which require the low-power consumption and downsized optical transceiver. |
| キーワード(和) | アバランシェフォトダイオード / 25Gbit/s / InAIAs |
| キーワード(英) | Avalanche photodiode / 25 Gbit/s / InAlAs |
| 資料番号 | OCS2013-69,OPE2013-115,LQE2013-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
|---|---|
| 開催期間 | 2013/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-performance InAlAs avalanche photodiode for 25-Gbit/s applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | アバランシェフォトダイオード / Avalanche photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 25Gbit/s / 25 Gbit/s |
| キーワード(3)（和/英） | InAIAs / InAlAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 名田 允洋 / Masahiro NADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村本 好史 / Yoshifumi MURAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki YOKOYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石橋 忠夫 / Tadao ISHIBASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松崎 秀昭 / Hideaki MATSUZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2013-10-25 |
| 資料番号 | OCS2013-69,OPE2013-115,LQE2013-85 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |