| 講演名 | 2013-10-24 イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) 秋本 良一, フェン ジジュン, 牛頭 信一郎, 物集 照夫, 石川 浩, |
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| 抄録(和) | イオン注入による量子井戸混合法を用いて,異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイケルソン干渉計型のサブバンド間遷移超高速光ゲートスイッチを作製した.Pイオンを注入後,急速アニールを施すことにより、InGaAs/AlAsSb量子井戸のバンド間遷移による吸収端波長を短波長化できることを確認した.この技術を用いて高効率な全光位相変調部用の光導波路と低損失なパッシブ光導波路を接続した構造をもつ光ゲートスイッチを作製した. 5.6pJの光パルスエネルギーの入力によりπラジアンの位相シフトによるフルスイッチング動作を確認した. |
| 抄録(英) | We demonstrate a compact all-optical Michelson interferometer (MI) gating switch with monolithic integration of two different band gap energies. Based on the ion-induced intermixing in In GaAs/AlAsSb coupled double quantum wells, the blue shift of the band edge can be tailored. Through phosphorus ion implantation and subsequent annealing, an implanted sample can acquire a high transmittance compared with the as-grown one. Meanwhile, the cross phase modulation (XPM) efficiency of a non-implanted sample undergoing the same annealing process decreases little. An implanted part for signal propagation and a non-implanted section for XPM are thus monolithically integrated for an MI switch by an area-selective manner. Full switching of a π-rad nonlinear phase shift is achieved with pump pulse energy of 5.6 pJ. |
| キーワード(和) | サブバンド間遷移 / InGaAs/AlAsSb量子井戸 / 相互位相変調 / イオン注入 / 光ゲートスイッチ |
| キーワード(英) | intersubband transition / InGaAs/AlAsSb quantum well / cross-phase modulation / ion implantation / optical gate switch |
| 資料番号 | OCS2013-48,OPE2013-94,LQE2013-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2013/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of high performance ultrafast intersubband all-optical gate switch using ion implantation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブバンド間遷移 / intersubband transition |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs/AlAsSb量子井戸 / InGaAs/AlAsSb quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 相互位相変調 / cross-phase modulation |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | 光ゲートスイッチ / optical gate switch |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 秋本 良一 / Ryoichi AKIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | フェン ジジュン / Jijun EFNG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牛頭 信一郎 / Shin-ichiro GOZU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 物集 照夫 / Teruo MOZUME |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 浩 / Hiroshi ISHIKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター Network Photonics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 発表年月日 | 2013-10-24 |
| 資料番号 | OCS2013-48,OPE2013-94,LQE2013-64 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 262 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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