| 講演名 | 2013-10-25 完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 : スピネルMgAl_2O_4系トンネルバリアの現状(ヘッド・スピントロニクス,一般) 介川 裕章, 猪俣 浩一郎, 三谷 誠司, |
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| 抄録(和) | 強磁性層/トンネルバリア/強磁性層構造を有する強磁性トンネル接合(MTJ)は、不揮発性磁気メモリ素子やハードディスクドライブのヘッドセンサーの基本動作を担っている。本研究ではMTJの新しいバリア層材料として結晶質のMgAl_2O_4(スピネル)が有望であることを報告する。MgAl_2O_4バリアを用いることで接合界面に欠陥を含まない完全格子整合した界面が実現され、室温トンネル磁気抵抗比(TMR)比の増大効果を示すことや、TMR比のバイアス電圧依存性の向上が可能であることを示す。さらに,MgAl_2O_4のもつスピネル構造の陽イオン位置を不規則化させることでTMR比が飛躍的に増大することを明らかにし,室温300%以上の巨大なTMR比を達成した。 |
| 抄録(英) | Magnetic tunnel junctions with a moncrystalline MgAl_2O_4 barrier were successfully developed. The lattice matched heterostructrue without any defects at the barrier interfaces was obtained, and tunnel manetoresistance(TMR)enhancement due to a spin-dependent coherent tunneling effect was demonstrated in the structure. In addition, it was found that cationsite disordering into the MgAl_2O_4 structure significantly increases the TMR. In fact, a giant TMR over 300% at room temperature was achieved by introducing the disordering into the barrier. These results demonstrate that MgAl_2O_4 is a promising barrier material for future spin tronics applications. |
| キーワード(和) | スピントロニクス / トンネル磁気抵抗効果 / 磁性薄膜 / スピネル |
| キーワード(英) | Spintronics / Tunnel magnetoresistance / Magnetic thin films / Spinel |
| 資料番号 | MR2013-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MR |
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| 開催期間 | 2013/10/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Magnetic Recording (MR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 完全格子整合した磁気トンネル接合の巨大トンネル磁気抵抗効果 : スピネルMgAl_2O_4系トンネルバリアの現状(ヘッド・スピントロニクス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Giant tunnel magnetoresistance in perfectly lattice-matched magnetic tunnel junctions : Current status of spinel MgAl_2O_4-based tunnel barriers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル磁気抵抗効果 / Tunnel magnetoresistance |
| キーワード(3)（和/英） | 磁性薄膜 / Magnetic thin films |
| キーワード(4)（和/英） | スピネル / Spinel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 介川 裕章 / Hiroaki SUKEGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構,磁性材料ユニット National Institute for Materials Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 猪俣 浩一郎 / Koichiro INOMATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構,磁性材料ユニット National Institute for Materials Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三谷 誠司 / Seiji MITANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (独)物質・材料研究機構,磁性材料ユニット National Institute for Materials Science |
| 発表年月日 | 2013-10-25 |
| 資料番号 | MR2013-18 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 267 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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