講演名 2013-10-24
溶液成長法を用いたSnS膜の作製(簿膜プロセス・材料,一般)
山中 雄貴, 高野 泰,
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抄録(和) 溶液成長法を用いてスライドガラス上にSnS薄膜を堆積させた。SnCl_2の量を固定し溶液中のチオアセトアミド(TA:硫黄原料)、トリエタノールアミン(TEA:減速材)、アンモニア(pH調整材)の量を変化させることによるSnS薄膜の堆積への影響を調べた。TAの量を増加させた時、SnSの(011)反射が現れるようになった。しかしSEM画像において堆積するSnS粒子への影響を確認するには至らなかった。TEAの量を変化させた時、X線回折によるSnSを調べたが、相関は確認できなかった。SEM画像より、TEAの量が増加するに従って、観察されるSnS粒子の粒径は大きくなっていった。100ml溶液中のTAが16ml、TEAが24mlのとき、アンモニアの量を変化させても、すべての試料において(201)反射、(011)反射が現れた。しかし、SEM画像において堆積するSnS粒子はほとんど変化しなかった。
抄録(英) SnS structures were deposited on glass substrates by the chemical bath deposition(CBD) method. We have investigated the growth of SnS thin films by changing the amount of ammonia, Triethanolamine and Thioacetamide at fixed amount of SnCl_2(H_20). X-ray diffraction shows that when increasing the amount of Thioacetamide, (011) reflection of SnS appeared. Scanning electron microscope indicated that the size of SnS particle increased with the amount of Triethanolamine. (011) and (201) reflections appeared in all samples, prepared in 100ml of solution containing 16ml of TA and 24ml of TEA with various amounts of ammonia.
キーワード(和) SnS / 溶液成長法(CBD法) / IV-VI族化合物
キーワード(英) SnS / Group II-VI compound / thin films / chemical bath deposition
資料番号 CPM2013-97
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/10/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 溶液成長法を用いたSnS膜の作製(簿膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Growth of SnS thin films by chemical bath deposition
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SnS / SnS
キーワード(2)(和/英) 溶液成長法(CBD法) / Group II-VI compound
キーワード(3)(和/英) IV-VI族化合物 / thin films
第 1 著者 氏名(和/英) 山中 雄貴 / Yuuki YAMANAKA
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 /
Graduate School of Engineering,Shizuoka University /
第 2 著者 氏名(和/英) 高野 泰 / Yasushi TAKANO
第 2 著者 所属(和/英)
発表年月日 2013-10-24
資料番号 CPM2013-97
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日