講演名 2013-10-24
自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)
西方 翼, 小瀧 侑央, 加藤 孝弘, 石田 弘樹, 末松 久幸, 玉山 泰宏, 川上 彰, 安井 寛治,
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抄録(和) 私たちは希塩酸(pH=1.65)処理とフォトリソグラフィを用いることによって,Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212) 単結晶上に検出素子と共に集積化させたテラヘルツ発振素子の作製してきた.それらのスタックは同じ結晶上に形成され,BiOClによって絶縁されている.発振素子IJJスタックの横方向寸法は数百μm^2以上で,一方で検出素子は約10×10 μm^2であった.発振素子スタックからの電磁波の放射を観測するために,発振素子スタックの直流バイアスをスイープしている間中,検出素子のゼロ電圧電流を測定した.液体窒素中で,発振素子スタックの電流-電圧特性上のキンク状構造上に直流バイアスされている時に,検出素子のゼロ電圧電流は最も強く抑制された.しかしながら,このキンク状構造はヘリウムや窒素ガスのような冷却ガスで77K近傍まで冷やしても,観測されなかった.この結果は,大きいサイズのBi-2212 IJJsの発振特性は冷却方法に強く影響している.
抄録(英) We have been successfully fabricated an integrated THz oscillator stack with detector stack in Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> (Bi-2212) single crystal by using photolithography and dilute acid solution (pH=1.65). These stacks were formed in a same crystal, which were isolated by BiOCl crystal. Lateral dimensions of the oscillator IJJ stacks were more than several hundred μm^2, while detector stack was about 10×10 μm^2. In order to confirm emission of electromagnetic waves from the oscillator stack, a zero voltage current for the detector stack was measured while sweeping DC bias of the oscillator stack. In liquid nitrogen, we found that the zero voltage current of the detector stacks was strongly suppressed when the oscillator stacks was biased at hump structure in the I-V curve. However, the hump structure could not been observed at 77 K achieved by cooling gas such as N_2 or He. This result indicates that the oscillation characteristics in the large sized Bi-2212 IJJs have a strong influence on cooling method.
キーワード(和) テラヘルツ / ジョセフソン接合 / Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)
キーワード(英) Terahartz / Josephson junction /Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)
資料番号 CPM2013-94
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/10/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 自己発熱がBi-2212固有ジョセフソン接合の発振特性に及ぼす影響(簿膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Influence of self-heating on oscillation phenomena of Bi-2212 intrinsic Josephson junctions
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ / Terahartz
キーワード(2)(和/英) ジョセフソン接合 / Josephson junction /Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)
キーワード(3)(和/英) Bi_2Sr_2CaCu_2O_x(Bi-2212)
第 1 著者 氏名(和/英) 西方 翼 / Tubasa Nishikata
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering,Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 小瀧 侑央 / Yukio Kotaki
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering,Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 加藤 孝弘 / Takahiro Kato
第 3 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering,Nagaoka University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 石田 弘樹 / Hiroki Ishida
第 4 著者 所属(和/英) 富山高等専門学校電子情報工学科
Department of Electronics and Computer Engineering,Toyama National College of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 末松 久幸 / Hisayuki Suematsu
第 5 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
Department of Electrical Engineering,Nagaoka University of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 玉山 泰宏 / Yasui Kannji /
第 6 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
/ Department of Electrical Engineering,Nagaoka University of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 川上 彰 / Akira Kawakami
第 7 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構
Kobe Advanced ICT Research Center,National Institute of and Communications Technology
第 8 著者 氏名(和/英) 安井 寛治
第 8 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学工学部電気系
発表年月日 2013-10-24
資料番号 CPM2013-94
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 268
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日