| 講演名 | 2013-08-29 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 武田 浩司, 佐藤 具就, 硴塚 孝明, 新家 昭彦, 野崎 謙悟, 谷山 秀昭, 納富 雅也, 長谷部 浩一, 松尾 慎治, |
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| 抄録(和) | 我々はCMOSチップ上/チップ間光通信の実現を目指し、波長サイズ埋込活性層フォトニック結晶(LEAP)レーザの開発を進めている。これらの光通信には低消費エネルギーで動作する光源が求められる。LEAPレーザは光の波長程度の寸法に光とキャリアを閉じ込めることにより、低しきい値電流かつ低消費エネルギーで動作する特徴がある。しかしこれまでの素子では活性層周囲に電流のリークが存在していた。今回電流狭窄溝を有する共振器を設計し、あらゆる半導体レーザの中で最も低いしきい値電流4.8μAと、10Gb/sにおける消費エネルギー4.4fJ/bitを報告する。 |
| 抄録(英) | We have studied lambda-scale embedded active region photonic crystal (LEAP) lasers to realize on-CMOS-chip or chip-to-chip optical interconnects. In these short-reach optical interconnects, light sources have to be driven with very low energies. The LEAP lasers have advantages in a threshold current and operating energy, because both light and carriers are confined within the wavelength scale of the light. However, previous devices had current leakage paths on either side of an active region. In this paper, we report a new design of LEAP lasers with current blocking trenches, and its record low threshold current of 4.8 μA and an operating energy of 4.4 fJ/bit at a bit rate of 10 Gb/s. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶レーザ / ナノ共振器レーザ / 光インターコネクション |
| キーワード(英) | Photonic crystal laser / Nanocavity laser / Optical interconnects |
| 資料番号 | R2013-44,EMD2013-50,CPM2013-69,OPE2013-73,LQE2013-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2013/8/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photonic-Crystal Lasers with Current Blocking Trenches |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶レーザ / Photonic crystal laser |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ共振器レーザ / Nanocavity laser |
| キーワード(3)（和/英） | 光インターコネクション / Optical interconnects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武田 浩司 / Koji TAKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 具就 / Tomonari SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 硴塚 孝明 / Takaaki KAKITSUKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新家 昭彦 / Akihiko SHINYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野崎 謙悟 / Kengo NOZAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 谷山 秀昭 / Hideaki TANIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 納富 雅也 / Masaya NOTOMI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 長谷部 浩一 / Koichi HASEBE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 松尾 慎治 / Shinji MATSUO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation:Nanophotonics Center, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2013-08-29 |
| 資料番号 | R2013-44,EMD2013-50,CPM2013-69,OPE2013-73,LQE2013-43 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 190 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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