| 講演名 | 2013-08-29 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) 眞田 克, 伊藤 誠吾, |
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| 抄録(和) | 準静電界は磁界を含まない電界の一種であり物質の廻りに広く分布する.この準静電界は無バイアス状態での測定が可能なこと及び,伝搬しないため反射や回折を伴わないという特徴があるため,精度良く観測できる.我々は既存のOBIC装置にNEPS (Nano Electrostatic field Probe Sensor)と呼ぶ準静電界検出センサーを取り付けることで準静電界画像の取得を行い, LSIの内部状態を評価した.その結果, LSIのwell不純物の識別や配線ボイドなど基板の評価が可能であることが判明した.目標とする結晶欠陥の識別や欠陥に欠陥分布のマッピングへの適用に対して今回明らかになった問題点を改良することで実現を図る. |
| 抄録(英) | Quasi-static electrical field, being one of electrical fields which does not bring magnetic field, is distributed widely around devises. This electrical field is possible to measure with non-bias state. Additionally this field does not involve reflection and diffraction phenomenon. These features bring accurate evaluation result. By using measurement system combined QEF sensor* unit with Laser microscope built-in OBIC function, an evaluation of LSI inner state was experimented. The evaluation outcomes were discrimination of substrate impurity type and also detection of void portion on metal line. These results indicated that this technology was suitable way to evaluate diffusion layer and substrate it. Concurrently, a couple of problems caused by measurement system were become clearly. The aim of this technology application is to obtain crystal defect distribution and mapping. *QEF sensor is named as NEPS (Nano Electrostatic field Probe Sensor). |
| キーワード(和) | 準静電界 / レーザ / LSI / 無バイアス / 評価 / 故障解析 |
| キーワード(英) | Quasi-static Electrical Field / Laser / LSI / Non-Bias State Evaluation / Failure Analysis |
| 資料番号 | R2013-41,EMD2013-47,CPM2013-66,OPE2013-70,LQE2013-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2013/8/22(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 準静電界センシングによるLSI内部構造の評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of LSI Inner Structure by Using Quasi-static Electrical Field Sensing Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 準静電界 / Quasi-static Electrical Field |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(4)（和/英） | 無バイアス / Non-Bias State Evaluation |
| キーワード(5)（和/英） | 評価 / Failure Analysis |
| キーワード(6)（和/英） | 故障解析 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 眞田 克 / Masaru SANADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学システム工学群 School of System Engineering, Kochi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 誠吾 / Seigo ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | こなか電子工房技術グループ Engineering Group, Konaka Electronics |
| 発表年月日 | 2013-08-29 |
| 資料番号 | R2013-41,EMD2013-47,CPM2013-66,OPE2013-70,LQE2013-40 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 187 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |