| 講演名 | 2013-08-02 MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 蓬田 拓夢, 範 公可, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文では,低電源電圧下で動作可能なD/Aコンバータの線形性向上法を提案する.本提案回路では,実装回路面積と分解能の関係が線形的であるR-2Rラダー型D/Aコンバータを基本回路とし,実装面積を一定に保ちながら, MOSFETの動作領域を揃えることで線形性の向上を達成している. |
| 抄録(英) | This paper proposes a linearity improvement method of the Digital-to-Analog Converter (DAC) circuit that can operate in low supply voltage. The proposed circuit, which is based on the R-2R ladder structure, achieves the linearity improvement by unification of MOSFET's operation region. |
| キーワード(和) | DAC / R-2R / 線形性 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | DAC / R-2R / Linearity / Low power |
| 資料番号 | SDM2013-82,ICD2013-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFETの動作領域の統一によるD/Aコンバータの線形性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement Linearity of the DAC with Unification of the MOSFET's Operating Region |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DAC / DAC |
| キーワード(2)（和/英） | R-2R / R-2R |
| キーワード(3)（和/英） | 線形性 / Linearity |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蓬田 拓夢 / Takumu YOMOGITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of Electro-Communications |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 範 公可 / Cong-kha PHAM |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学先進理工学専攻 University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 2013-08-02 |
| 資料番号 | SDM2013-82,ICD2013-64 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |