| 講演名 | 2013-08-02 Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 齋藤 涼, 関本 竜太, 志方 明, |
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| 抄録(和) | 本研究では超低消費電力・超低電圧動作のSAR ADCを提案する.完全非同期動作とBoosted Power Gatingにより, AD変換の精度上昇とリーク電力の削減を実現した. 40mnのCMOSプロセスを利用した試作チップでは,電源電圧0.5V,サンプリング周波数0.1kS/sにおいて,有効ビット数8.2, 98%のリーク電力削減を達成し,消費電力は0.65nWとなった.提案ADCの電力は,サンプリング周波数4MS/sまでスケーラブルであり,電源電圧は0.4V～0.7Vまで変動可能である.電源電圧0.5V,サンプリング周波数20kS/sにおいて,ピークとなる5.2fj/conv.stepのFoMを達成した. |
| 抄録(英) | This paper presents an ultra low power and ultra low voltage SAR ADC. Full asynchronous operation and boosted power gating are proposed to improve conversion accuracy and reduce static leakage power. Test chip fabricated in 40nm CMOS process has successfully reduced leakage power by 98% and it performs ENOB of 8.2bit and consumes only 0.65nW with 0.1kS/s at 0.5V. The power consumption is scalable up to 4MS/s and power supply range from 0.4 to 0.7V. The best figure of merit (FoM) of 5.2fJ/conversion-step was obtained with 20kS/s at 0.5V. |
| キーワード(和) | 逐次比較型 / センサネットワーク / スケーラブル |
| キーワード(英) | Successive Approximation / Sensor Network / Scalable |
| 資料番号 | SDM2013-81,ICD2013-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Boosted Power Gatingを用いた超低電圧ナノワット動作完全非同期型SAR ADC(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Full Asynchronous Nano-Watt SAR ADC by Boosted Power Gating |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 逐次比較型 / Successive Approximation |
| キーワード(2)（和/英） | センサネットワーク / Sensor Network |
| キーワード(3)（和/英） | スケーラブル / Scalable |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齋藤 涼 / Ryo Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Graduate Course Science and Engineering, Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関本 竜太 / Ryota Sekimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Graduate Course Science and Engineering, Keio University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 志方 明 / Akira Shikata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学理工学部 Graduate Course Science and Engineering, Keio University |
| 発表年月日 | 2013-08-02 |
| 資料番号 | SDM2013-81,ICD2013-63 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |