| 講演名 | 2013-08-02 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 福岡 一樹, 森 涼, 加藤 章, 五十嵐 満彦, 渋谷 宏治, 山木 貴志, 新居 浩二, 森田 貞幸, 小池 貴夫, 阪本 憲成, |
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| 抄録(和) | 28nm HKMGテクノロジにおいて開発した電源遮断技術について報告する.提案するEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチはチャネル利用率を減少することなくスタンバイ電力を1/641倍に低減する. Dual-CPUのアクティブ電力は1.4μsで電源復帰するシングルコア動作モードによって45mW削減された.チップのスタンバイ電力見積もりは従来技術より小さい123μWであり,実測結果と良好な一致を示した. |
| 抄録(英) | We have developed a power-gating technique in 28 nm HKMG technology. The proposed EM-tolerant 1.8 V I/O NMOS power switch reduces the standby power to 1/641× without decreasing channel utilization. The active leakage power of the dual CPU cores can be reduced by 45 mW in a single core operation mode with a rapid 1.4 μs wakeup time to full core operation. A mobile processor is designed and fabricated with proposed technique. The estimated standby power of the chip is 123 μW and is smaller than the conventional techniques. Measured leakage power shows a good agreement with the estimated one. |
| キーワード(和) | 28nm HKMG / 電源遮断 / 1.8V I/O NMOS電源スイッチ / EM耐性強化 / 123μWスタンバイ電力 |
| キーワード(英) | 28 nm HKMG / power-gating / 1.8V I/O NMOS power switch / EM-tolerant / 123 μW standby power |
| 資料番号 | SDM2013-78,ICD2013-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 123μW Standby Power Technique with EM-Tolerant 1.8V I/O NMOS Power Switch in 28nm HKMG Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 28nm HKMG / 28 nm HKMG |
| キーワード(2)（和/英） | 電源遮断 / power-gating |
| キーワード(3)（和/英） | 1.8V I/O NMOS電源スイッチ / 1.8V I/O NMOS power switch |
| キーワード(4)（和/英） | EM耐性強化 / EM-tolerant |
| キーワード(5)（和/英） | 123μWスタンバイ電力 / 123 μW standby power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福岡 一樹 / kAZUKI fukuoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 涼 / Ryo MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 章 / Akira KATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 満彦 / Mitsuhiko IGARASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渋谷 宏治 / Koji SHIBUTANI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山木 貴志 / Takashi YAMAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji NII |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 森田 貞幸 / Sadayuki MORITA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス Renesas Electronics Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 小池 貴夫 / Takao KOIKE |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサスモバイル Renesas Mobile Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 阪本 憲成 / Noriaki SAKAMOTO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサスモバイル Renesas Mobile Corporation |
| 発表年月日 | 2013-08-02 |
| 資料番号 | SDM2013-78,ICD2013-60 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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