講演名 2013-08-02
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
水谷 朋子, 山本 芳樹, 槇山 秀樹, 篠原 博文, 岩松 俊明, 尾田 秀一, 杉井 信之, 平本 俊郎,
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抄録(和) 65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評価し,バルクSRAMセルと比較した. SOTB SRAMセルではバルクSRAMセルと比較してセル電流ばらつきを大幅に抑制できることを実測で示し,その主な原因がV_ばらつきの低減であり,他のパラメータの効果は小さいことを明らかにした.
抄録(英) Cell current (I_) variability in 6T-SRAM composed of silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs by 65nm technology is measured and compared with that of conventional bulk MOSFETs. It is found that I_ variability in SOTB SRAM is drastically suppressed compared with bulk SRAM especially at low supply voltage (V_
) of 0.4V. It is confirmed that the main origin of suppressed I_ variability is small V_
variability while small Gm, DIBL, and current-onset voltage (COV) variability has only minor effects.
キーワード(和) ばらつき / セル電流 / FD SOI
キーワード(英) Variability / Cell Current / FD SOI
資料番号 SDM2013-75,ICD2013-57
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2013/7/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Reduced Cell Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Supply Voltage of 0.4V
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ばらつき / Variability
キーワード(2)(和/英) セル電流 / Cell Current
キーワード(3)(和/英) FD SOI / FD SOI
第 1 著者 氏名(和/英) 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 山本 芳樹 / Yoshiki YAMAMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 3 著者 氏名(和/英) 槇山 秀樹 / Hideki MAKIYAMA
第 3 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 4 著者 氏名(和/英) 篠原 博文 / Hirofumi SHINOHARA
第 4 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 5 著者 氏名(和/英) 岩松 俊明 / Toshiaki IWAMATSU
第 5 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 6 著者 氏名(和/英) 尾田 秀一 / Hidekazu ODA
第 6 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 7 著者 氏名(和/英) 杉井 信之 / Nobuyuki SUGII
第 7 著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)
Low-power Electronics Association & Project (LEAP)
第 8 著者 氏名(和/英) 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO
第 8 著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
発表年月日 2013-08-02
資料番号 SDM2013-75,ICD2013-57
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 173
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日