講演名	2013-08-02 SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) , 更屋 拓哉, 宮野 信治, 平本 俊郎,
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抄録(和)	SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した. NMとVminを測定し直接比較した結果,高い電源電圧(V_ )においては両者の相関は低く, NMは必ずしもよい指標ではないことが明らかとなった.一方, V_ が低くなるほど両者の相関は高くなることを新たに発見し, SRAMセルの安定性を評価するには,高いV_ ではなく低いV_ でNMを測定しなければならないことを初めて明らかにした.
抄録(英)	This paper reports the comprehensive analysis of the stability parameter of SRAM cells. Results show that even if noise margin (NM) of SRAM cells is same at higher V_ , minimum operation voltage (Vmin) of the same cells is different. The origin of this discrepancy is analyzed. It can be concluded that NM at high V_ is not a good indicator and NM should be measured at as low V_ as possible to obtain NM data that are well correlated with Vmin.
キーワード(和)	CMOS / SRAM / Vmin / スタティックノイズマージン
キーワード(英)	CMOS / SRAM / Vmin
資料番号	SDM2013-74,ICD2013-56
発行日

研究会情報
研究会	ICD
開催期間	2013/7/25(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	SRAM Cell Stability Parameter : Noise Margin or Vmin?
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	CMOS / CMOS
キーワード(2)（和/英）	SRAM / SRAM
キーワード(3)（和/英）	Vmin / Vmin
キーワード(4)（和/英）	スタティックノイズマージン
第 1 著者 氏名（和/英）	/ Anil KUMAR
第 1 著者 所属（和/英）	東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo
第 2 著者 氏名（和/英）	更屋 拓哉 / Takuya SARAYA
第 2 著者 所属（和/英）	東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo
第 3 著者 氏名（和/英）	宮野 信治 / Shinji MIYANO
第 3 著者 所属（和/英）	STARC STARC
第 4 著者 氏名（和/英）	平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO
第 4 著者 所属（和/英）	東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo
発表年月日	2013-08-02
資料番号	SDM2013-74,ICD2013-56
巻番号（vol）	vol.113
号番号（no）	173
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日