| 講演名 | 2013-08-01 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 森田 行則, 森 貴洋, 右田 真司, 水林 亘, 田邊 顕人, 福田 浩一, 遠藤 和彦, 松川 貴, 大内 真一, 柳 永〓, 昌原 明植, 太田 裕之, |
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| 抄録(和) | トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の特性を向上させる新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提案・実証した.高濃度ソース上にSiエピタキシャル成長技術を用い極めて薄いチャネルを堆積した後,チャネルを加工して, 2層チャネル周囲にゲート電極を配置し立体構造のトランジスタとした.トンネル接合に横方向と縦方向の電界を重畳させ,より強い電界をトンネル接合界面に印加することで,従来構造TFETに比較して1-2桁のドレイン電流増大効果が得られた. |
| 抄録(英) | A synthetic electric field effect to enhance the performance of tunnel field-effect transistors (TFETs) is proposed. The TFET utilizes both top- and side-gate electric fields induced by a wrapped gate electrode configuration. The device concept was experimentally verified by fabricating Si-TFETs integrated with ultrathin epitaxial channel. Scaling of both the channel width and channel thickness enhances the TFET performance owing to the enhanced synthetic electric field. |
| キーワード(和) | トンネルFET / TFET / 合成電界 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Tunnel FET / TFET / synthetic electric field / epitaxial growth |
| 資料番号 | SDM2013-66,ICD2013-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance Enhancement of Tunnel Field-Effect Transistors by Synthetic Electric Field Effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルFET / Tunnel FET |
| キーワード(2)（和/英） | TFET / TFET |
| キーワード(3)（和/英） | 合成電界 / synthetic electric field |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森田 行則 / Yukinori MORITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 貴洋 / Takahiro MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 右田 真司 / Shinji MIGITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水林 亘 / Wataru MIZUBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田邊 顕人 / Akihito TANABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi FUKUDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko ENDO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi MATSUKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大内 真一 / Shin-ichi O'UCHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 柳 永〓 / Yongxun LIU |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 昌原 明植 / Meishoku MASAHARA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 太田 裕之 / Hiroyuki OTA |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所 Green Nanoelectronics Center (GNC), Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 発表年月日 | 2013-08-01 |
| 資料番号 | SDM2013-66,ICD2013-48 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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