| 講演名 | 2013-08-01 SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 森 貴之, 井田 次郎, |
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| 抄録(和) | フローティングボディ構造(FB)及びボディタイ構造(BT)のSOI MOSFETにおいて急峻なサブスレッショルド特性(Subthreshold Slope : SS)を見出し,解析を行った. FBでは,フローティングボディ効果(Floating Body Effect : FBE)によってSSが急峻化しているのに対し, BTでは,ボディ方向へ流れる電流が電圧降下を引き起こし,寄生バイポーラトランジスタ(Parasitic Bipolar Transistor : PBT)をオンするため, SSが急峻化することが分かった.また,シミュレーションによる各種パラメータ依存性より,部分空乏型(PD) SOI MOSFETにおいて急峻なSSは発生しやすいことが分かった.今後,より低い電圧で急峻なSSを発生させるためには,ゲート酸化膜厚やSOI膜厚を通常のスケーリングとは異なる形で最適化する必要があると考えられる. |
| 抄録(英) | We have found out that the steep Subthreshold Slope (SS) appears in the Floating-Body (FB) and the Body-Tied (BT) SOI MOSFET and its mechanism have investigated. The steep SS in the FB occurs by Floating Body Effect (FBE), while the steep SS in the BT occurs by Parasitic Bipolar Transistor (PBT) caused by the voltage drop with the body current. In addition to those, the steep SS tends to appear in the Partially Depleted (PD) SOI MOSFET. In order to generate the steep SS at lower voltages, it is necessary to optimize the SOI film thickness and the gate oxide thickness by a different method from the conventional scaling. |
| キーワード(和) | SOI / フローティングボディ / ボディタイ / Steep Subthreshold Slope |
| キーワード(英) | SOI / Floating-Body / Body-Tied / Steep Subthreshold Slope |
| 資料番号 | SDM2013-65,ICD2013-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Steep Subthreshold Slope Characteristics in SOI MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(2)（和/英） | フローティングボディ / Floating-Body |
| キーワード(3)（和/英） | ボディタイ / Body-Tied |
| キーワード(4)（和/英） | Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 貴之 / Takayuki MORI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro IDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013-08-01 |
| 資料番号 | SDM2013-65,ICD2013-47 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |