| 講演名 | 2013-08-01 貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 永田 真, 高谷 聡, 池田 博明, |
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| 抄録(和) | 貫通シリコンビア(TSV)技術によりメモリチップ、インタポーザチップ、およびロジックチップの三層積層構造による4096 bit幅の超ワイドI/Oバス実証デバイスを設計・試作し、ロジックチップとメモリチップ間で100 GByte/秒のデータ転送を0.56 pJ/bitの消費エネルギーで実現した。また、インタポーザチップには、TSVバスを通過する信号や電源ネットワークの波形を三次元積層チップの内部でその場観測するためのオンチップモニタを搭載した。超ワイドバスの最高データ転送レートにおいて、アイ開口は十分に広く、また電源ノイズも良く抑制されていることを確認するとともに、三次元積層チップにおける信号や電源の完全性診断に有効であることを示した。 |
| 抄録(英) | A 4096-bit wide I/O bus structure is designed and demonstrated with a three dimensional chip stack incorporating memory, interposer, and logic dice. The stack realizes the data transfer at 100 GByte/sec and power consumption of 0.56 pJ/bit. The interposer embeds an on-chip monitor to see waveforms of signals and power nets through TSVs in the stack. It was shown that the eye diagrams exhibited sufficiently wide margin, and the power noise was well suppressed at the highest date rate. The technique will be helpful for the diagnosis of signal and power integrity in a 3D chip stack. |
| キーワード(和) | 貫通シリコンビア / オンチップモニタ / 超ワイドI/Oバス |
| キーワード(英) | Through silicon via / On-chip monitor / Ultra wide I/O bus |
| 資料番号 | SDM2013-71,ICD2013-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 貫通シリコンビアとアクティブインタポーザを用いた4096 bit幅100 GByte/秒ワイドI/Oの設計と診断(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and diagnosis of 100GB/s Wide I/O with 4096b TSVs through Active Silicon Interposer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 貫通シリコンビア / Through silicon via |
| キーワード(2)（和/英） | オンチップモニタ / On-chip monitor |
| キーワード(3)（和/英） | 超ワイドI/Oバス / Ultra wide I/O bus |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto NAGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院システム情報学研究科 Graduate School of System Informatics, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高谷 聡 / Satoshi TAKAYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院システム情報学研究科 Graduate School of System Informatics, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 博明 / Hiroaki IKEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超先端電子技術開発機構 Association of Super-Advanced Electronics Technologies |
| 発表年月日 | 2013-08-01 |
| 資料番号 | SDM2013-71,ICD2013-53 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 172 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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