| 講演名 | 2013-08-08 AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) 徳田 博邦, 小島 敏和, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合にTi/Al、Ti/Au、V/Au、Ni/Auを蒸着し、2DEG電子濃度(n_s)と移動度(μ)の温度依存性を調べた。n_sは温度の増加とともにある温度で急激な増加を示し、μはn_sが増加するその温度でhumpを示した。これは、下地金属(Ti、V、Ni)とAlGaN層との反応が始まることに対応している。熱処理後の室温でのn_sはTi/Alでは1桁以上増加し、またμも70%以上増加した。一方他の金属ではn_s、μともにほとんど増加が見られなかった。この結果はn_s、μの増加においてAlが重要な役割をはたしていることを示している。 |
| 抄録(英) | Temperature dependence of sheet electron density (n_s) and mobility (μ) of the two dimensional electron gas has been investigated in AlGaN/GaN heterostructures deposited with different metal stacks such as Ti/Al, Ti/Au, V/Au, and Ni/Au. It was found that a sudden increase in n_s and a hump in μ were observed with the temperature increase corresponding to the onset of reaction between the bottom metal (Ti, V, or Ni) and the AlGaN layer. At room temperature, Ti/Al showed an order of magnitude higher ns and 70 % higher μ by annealing, while the amount of increase was much less for other metal stacks, indicating that Al played a key role for the increase in n_s and μ. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合 / Hall測定 / シート電子濃度 / 移動度 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN heterostructures / Hall measurement / sheet electron density / mobility |
| 資料番号 | ED2013-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2013/8/1(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | On the enhanced 2DEG density and mobility in AlGaN/GaN heterostructures by the reaction with metals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ接合 / AlGaN/GaN heterostructures |
| キーワード(2)（和/英） | Hall測定 / Hall measurement |
| キーワード(3)（和/英） | シート電子濃度 / sheet electron density |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小島 敏和 / Toshikazu Kojima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2013-08-08 |
| 資料番号 | ED2013-42 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 176 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |