| 講演名 | 2013-08-02 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 山口 直也, 竹内 智彦, 中村 友紀, 大橋 優樹, 永富 瑛智, 玉山 泰宏, 安井 寛治, |
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| 抄録(和) | 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高温のH_2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エネルギーZnOプリカーサを生成、a面サファイア基板に供給しZnO膜を作製した。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ、約2800nmまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなり500nm以下とそれ以上の膜厚で大きく電気伝導特性が異なり基板-膜界面に高密度の欠陥を有する層の存在が窺われた。膜厚約5μmのZnO膜について透過電子顕微鏡観察によりZnO膜の結晶構造について調べたところ結晶粒界は観察されず、単結晶膜であることが分かった。また、2波回折条件でのTEM観察より膜内の転位密度の評価を行った。 |
| 抄録(英) | Crystalline structure of ZnO thin films, which were grown on a-plane sapphire substrates through a reaction between dimethylzinc and high-temperature H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2-O_2 reaction, was measured. From the thickness dependence of the electrical properties, the electron mobility at room temperature increased from 54 to 189 cm^2V^<-1>s^<-1> with increasing film thickness from 200 nm to 2800 nm. The temperature dependences of the Hall mobility and carrier concentration of ZnO films with thinner than 500 nm and thicker than 500 nm were quite different. The existence of the layer with high-defect density near the film-substrate interface was estimated. In this study, the crystalline structure of the ZnO film with 5μm thickness grown on the a-plane sapphire substrates was observed using cross-sectional transmission electron microscopy (TEM). The dislocation density in the films was also evaluated under two-beam condition. |
| キーワード(和) | ZnO / 触媒反応 / 高温H_2O / 結晶構造 / 転位 |
| キーワード(英) | ZnO / catalytic reaction / high-temperature H_2O / crystalline structure / dislocation |
| 資料番号 | CPM2013-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてa面サファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline structure of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H_2O produced by a Pt-catalyzed H_2-O_2 reaction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高温H_2O / high-temperature H_2O |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶構造 / crystalline structure |
| キーワード(5)（和/英） | 転位 / dislocation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 直也 / Naoya YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 智彦 / Tomohiko Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 友紀 / Tomoki Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大橋 優樹 / Yuuki OHASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 永富 瑛智 / Eichi NAGATOMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 玉山 泰宏 / Yasuhiro TAMAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 Faculty of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2013-08-02 |
| 資料番号 | CPM2013-49 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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