| 講演名 | 2013-08-01 超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化 池田 和磨, 小島 信晃, 大下 祥雄, 山口 真史, |
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| 抄録(和) | これまでN濃度により決まると考えられてきたGaAsNの低いキャリア移動度と寿命を化学ビームエピタキシー法により改善した.その材料特性を下にGaAsN太陽電池を作製し,変換効率6.5%を得た. Suns-Voc法を用いて,直列抵抗を無視した場合の変換効率が13.7%と見積もられることから,直列抵抗が支配的に変換効率を制限していることが示唆された.高い直列抵抗の原因は,主に表面電極形状によると考えられる.また,外部量子効率が長波長側で低下していることから, pin構造を用いることにより,更なる変換効率の向上が期待される. |
| 抄録(英) | The carrier mobility and lifetime of GaAsN which have been considered to be determined by N composition were improved by chemical beam epitaxy. The conversion efficiency of GaAsN solar cell was obtained to be 6.5%. The pseudo conversion efficiency was estimated to be 13.7% by Suns-Voc method. This method neglects the effect of the series resistance on the conversion efficiency. The high series resistance is considered to be caused by the configuration of the electrode. The optimization of the electrode can improve the efficiency. Further improvement can be possible by using pin structure, because the deterioration of the external quantum efficiency at long wavelength region was observed. |
| キーワード(和) | GaAsN / 太陽電池 / 化学ビームエピタキシー |
| キーワード(英) | GaAsN / Solar cell / Chemical beam epitaxy |
| 資料番号 | CPM2013-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高効率多接合太陽電池の実現に向けたGaAsN太陽電池の高効率化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaAsN Solar Cell for Super High Efficient Multijunction Solar Cell |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | 化学ビームエピタキシー / Chemical beam epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 和磨 / Kazuma IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊田工業大学 Toyota Technological Institute |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小島 信晃 / Nobuaki KOJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊田工業大学 Toyota Technological Institute |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大下 祥雄 / Yoshio OHSHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊田工業大学 Toyota Technological Institute |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 真史 / Masafumi YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田工業大学 Toyota Technological Institute |
| 発表年月日 | 2013-08-01 |
| 資料番号 | CPM2013-40 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 171 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |