| 講演名 | 2013-09-18 相変化物質を用いた不揮発性再構成型デバイス開発プラットフォーム(リコンフィギャラプルアーキテクチャ(1),リコンフィギャラブルシステム,一般) 道田 拓巳, 谷川 一哉, 弘中 哲夫, 下舞 賢一, 石黒 隆, |
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| 抄録(和) | 本研究では相変化メモリを用いた不揮発性再構成型デバイスMPLDの開発手法の研究を行っている.しかし,一般的な相変化メモリの構造では相変化物質の開発と相変化物質に対するデータの読み書きを行う電子回路の開発を同時に行う必要があり,開発費が高騰してしまう.そこで本研究ではチップ製造後成膜を用いることで多様な相変化物質の成膜実験をできるようにした.また,相変化物質の特性が変化した場合でもLSIの再設計回数を削減できるように,外部バイアス電圧でLSI部分の動作条件を変更できるよう設計した.本稿では以上の方法で課題を解決した不揮発性MPLDを設計し,シミュレーションおよび試作チップにおいて動作確認した. |
| 抄録(英) | We have studied a development technique of nonvolatile reconfigurable device MPLD using the phase change memory. The development cost of the device increases from the necessity of developing both at the same time, electronic circuits of phase change memory and the phase change material itself. To decrease the development cost, we enable to form the phase change material layer after manufacturing the LSI. In addition, to prevent redesigning of the LSI circuit according to the difference of phase change material, we designed the LSI circuit which enables to operate adaptively with different types of phase change material by controlling external bias voltages of the LSI circuit.In this paper, we present a non-volatile MPLD that designed by above method, and the operation of the prototype chip was verified by f testing the fabricated chips. |
| キーワード(和) | 再構成型デバイス / 相変化メモリ / MPLD / 不揮発性再構成型デバイス |
| キーワード(英) | Programmable Logic Device / Phase Change Memory / MPLD / Nonvolatile Programmable Logic Device |
| 資料番号 | RECONF2013-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | RECONF |
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| 開催期間 | 2013/9/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reconfigurable Systems (RECONF) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 相変化物質を用いた不揮発性再構成型デバイス開発プラットフォーム(リコンフィギャラプルアーキテクチャ(1),リコンフィギャラブルシステム,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonvolatile reconfigurable device development platform using a phase change material |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 再構成型デバイス / Programmable Logic Device |
| キーワード(2)（和/英） | 相変化メモリ / Phase Change Memory |
| キーワード(3)（和/英） | MPLD / MPLD |
| キーワード(4)（和/英） | 不揮発性再構成型デバイス / Nonvolatile Programmable Logic Device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 道田 拓巳 / Takumi MICHIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島市立大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science, Hiroshima City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 谷川 一哉 / Kazuya TANIGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島市立大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science, Hiroshima City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 弘中 哲夫 / Tetsuo HIRONAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島市立大学大学院情報科学研究科 Graduate School of Information Science, Hiroshima City University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下舞 賢一 / Kenichi SHIMOMAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 太陽誘電株式会社 TAIYO YUDEN CO., LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 隆 / Takashi ISHIGURO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 太陽誘電株式会社 TAIYO YUDEN CO., LTD. |
| 発表年月日 | 2013-09-18 |
| 資料番号 | RECONF2013-25 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 221 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |