| 講演名 | 2013-10-24 Time-Based型ADC(TAD)を用いたRF受信IC(技術展示,製品展示,ソフトウェア無線機,無線ハードウェア技術,国際ワークショップ,一般) 寺澤 智仁, 神谷 有志, 川島 宏之, 今井 謙一郎, 鈴木 正信, 渡辺 高元, 田口 信幸, 澤田 学, / 廣岡 慶之, / 宮原 正也, 松澤 昭, |
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| 抄録(和) | 広帯域Gmセルを用いたパッシブミキサによってダイレクトコンバージョン方式を実現するRF部と、Time-Based型A/D変換器(TAD)を備えたRF受信ICを開発した(65nm CMOS)。TADはリングディレイラインの電源電圧にA/D変換電圧を印加し、CMOSゲート遅延時間を変調することでA/D変換動作を可能とするオールデジタル回路構成のA/D変換器である。今回、高分解能化のために上記TADの4インターリーブ(80 MHz×4)構成を採用し、500M, 1.5G, 2.5GHzのRF帯OFDM変調信号(16QAM, 入力電力: -45.4dBm, BW: 20MHz)の復調を実施した結果、それぞれにおいてEVMは-27.8, -27.4, -17.3 dBであった。 |
| 抄録(英) | A direct-conversion RF-receiver implemented in 65nm CMOS which has RF front-end and Time-Based analog-to-digital converter (TAD) is presented. The RF front-end contains passive mixer using wideband gm-cell and switches. TAD is an analog-to-digital converter based on the power-supply voltage dependence of CMOS gate propagation delay time, and can be constructed solely of CMOS digital circuits. And 4-time-interleave technology using TAD is adopted for high resolution. When OFDM 16QAM RF signal (Input power: -45.4 dBm, BW: 20 MHz) of 500M, 1.5 G,2.5 GHzis demodulated, EVM is -27.8, -27.4, -17.3dB respectively. |
| キーワード(和) | RF受信IC / 65nm CMOS / Time-Based型ADC / TAD / Gmセル / パッシブミキサ / OFDM |
| キーワード(英) | RF-receiver / 65nm CMOS / Time-Based ADC / TAD / Gm-cell / Passive mixer / OFDM |
| 資料番号 | SR2013-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SR |
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| 開催期間 | 2013/10/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Software Radio(SR) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Time-Based型ADC(TAD)を用いたRF受信IC(技術展示,製品展示,ソフトウェア無線機,無線ハードウェア技術,国際ワークショップ,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Radio Receiver Front-End Using Time-Based ADC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF受信IC / RF-receiver |
| キーワード(2)（和/英） | 65nm CMOS / 65nm CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | Time-Based型ADC / Time-Based ADC |
| キーワード(4)（和/英） | TAD / TAD |
| キーワード(5)（和/英） | Gmセル / Gm-cell |
| キーワード(6)（和/英） | パッシブミキサ / Passive mixer |
| キーワード(7)（和/英） | OFDM / OFDM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺澤 智仁 / Tomohito TERASAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神谷 有志 / Yuji KAMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川島 宏之 / Hiroyuki KAWASHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今井 謙一郎 / Kenichirou IMAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 正信 / Masanobu SUZUKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渡辺 高元 / Takamoto WATANABE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田口 信幸 / Nobuyuki TAGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 澤田 学 / Manabu SAWADA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社デンソー研究開発3部 Corporate R&D, DENSO CORPORATION |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | / 廣岡 慶之 / YU Hou |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | / 宮原 正也 / Yoshiyuki HIROOKA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 松澤 昭 / HongPHUC Ninh |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Dept. Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2013-10-24 |
| 資料番号 | SR2013-62 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 266 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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