講演名 2013-06-21
100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
八木 英樹, 井上 尚子, 大西 裕, 増山 竜二, 勝山 智和, 菊地 健彦, 立岩 義弘, 米田 昌博, 武智 勝, 小路 元,
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抄録(和) 1波長あたり100 Gb/s以上の大容量伝送を実現する方式として,デジタルコヒーレント伝送技術が有望視されている.また,位相信号を復調する90°ハイブリッドを集積した受光素子としては小型化,さらには,これらの実装プロセスの簡素化に伴う低コスト化,及び特性安定化の観点で,InP系モノリシック集積素子が有利である.我々はバットジョイントプロセスによりMMIからなる90°ハイブリッドをモノリシック集積したInP系pin-PDの高受光感度,及び広帯域動作を実現するとともに,本素子を用いた小型コヒーレントレシーバモジュールを試作したので,報告する.
抄録(英) The digital coherent transmission technology has been considered to be a promising candidate for the accomplishment of a 100 Gb/s channel rate in wavelength division multiplexing (WDM) systems. InP-based photodiodes monolithically integrated with a 90° hybrid for a coherent receiver can afford small packaging size and eliminate complicated alignments in the assembly process, resulting in low cost and stabilization of characteristics. We demonstrated a high responsivity and wide 3-dB bandwidth of InP-based pin-photodiodes monolithically integrated with the 90° hybrid consisting of multimode interference structures (MMI) by the butt joint process and present the compact coherent receiver with these integrated devices.
キーワード(和) コヒーレント伝送技術 / 90°ハイブリッド / MMI / pin-PD / バットジョイント技術
キーワード(英) Coherent transmission / 90°hybrid / Multimode interference structure / pin-Photodiode / Butt-joint process
資料番号 OPE2013-11,LQE2013-21
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2013/6/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 100Gb/s小型コヒーレントレシーバ向けInP系90°ハイブリッド : 集積型pin-PDの高感度・広帯域動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High Responsivity and Wide Bandwidth Operation of InP-Based pin-Photodiodes Monolithically Integrated with 90° Hybrid for 100 Gb/s Compact Coherent Receiver
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) コヒーレント伝送技術 / Coherent transmission
キーワード(2)(和/英) 90°ハイブリッド / 90°hybrid
キーワード(3)(和/英) MMI / Multimode interference structure
キーワード(4)(和/英) pin-PD / pin-Photodiode
キーワード(5)(和/英) バットジョイント技術 / Butt-joint process
第 1 著者 氏名(和/英) 八木 英樹 / Hideki YAGI
第 1 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 2 著者 氏名(和/英) 井上 尚子 / Naoko INOUE
第 2 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 3 著者 氏名(和/英) 大西 裕 / Yutaka ONISHI
第 3 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 4 著者 氏名(和/英) 増山 竜二 / Ryuji MASUYAMA
第 4 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 5 著者 氏名(和/英) 勝山 智和 / Tomokazu KATSUYAMA
第 5 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 6 著者 氏名(和/英) 菊地 健彦 / Takehiko KIKUCHI
第 6 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 7 著者 氏名(和/英) 立岩 義弘 / Yoshihiro TATEIWA
第 7 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 8 著者 氏名(和/英) 米田 昌博 / Yoshihiro YONEDA
第 8 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 9 著者 氏名(和/英) 武智 勝 / Masaru TAKECHI
第 9 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
第 10 著者 氏名(和/英) 小路 元 / Hajime SHOJI
第 10 著者 所属(和/英) 住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, LTD.
発表年月日 2013-06-21
資料番号 OPE2013-11,LQE2013-21
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 100
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日