| 講演名 | 2013-06-21 GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) 前北 和晃, 丸山 武男, 飯山 宏一, 鈴木 寿一, |
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| 抄録(和) | GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し,波長0.8μm帯での特性を評価した.受光面積は30μm x 30μmとし,電極間隔を2μm, 1μm, 0.4μmとした.電極間隔1μmの光検出器において,-5V印加時で暗電流0.5nAを得た.波長830nmにおいて,-5V印加時で感度0.11A/Wを得た.波長850nmにおいて,-20V印加時で最大帯域8GHzを得た. |
| 抄録(英) | We fabricated metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors on metamorphic InAlAs layer grown on GaAs substrate. The devices were measured at the wavelength of 0.8 μm region. Receiving area is 30 μm x 30 μm and electrode spacing is 2 μm, 1 μm, and 0.4 μm. With the electrode spacing of 1 μm, the dark current of 0.5 nA was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 830 nm, the responsivity of 0.11 A/W was obtained at the bias voltage of -5 V. At the wavelength of 850 nm, maximum bandwidth of 8 GHz was obtained at the bias voltage of -20 V |
| キーワード(和) | メタモルフィック / InAlAs / MSM光検出器 / III-V族化合物半導体 / 高周波応答 |
| キーワード(英) | Metamorphic / InAlAs / MSM photodetector / III-V compound / High frequency response |
| 資料番号 | OPE2013-10,LQE2013-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2013/6/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GHz Response of Metamorphic InAlAs MSM Photodetector on GaAs Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | メタモルフィック / Metamorphic |
| キーワード(2)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | MSM光検出器 / MSM photodetector |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V compound |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波応答 / High frequency response |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前北 和晃 / Kazuaki MAEKITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 飯山 宏一 / Koichi IIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 寿一 / Toshikazu SUZUKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2013-06-21 |
| 資料番号 | OPE2013-10,LQE2013-20 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 100 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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