| 講演名 | 2013-06-21 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) 松本 恵一, 張 きんきん, 金谷 佳則, 下村 和彦, |
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| 抄録(和) | 大容量高速通信を実現するIII-V族半導体をSiプラットフォーム上に集積することが求められている。本論文では直接貼付法とウェットエッチングを用いてInP/Si基板を作製し,この基板上にMOVPE法によるGaInAs/InP MQW構造の結晶成長を行った.また,SiO_2-Si基板とGlass基板でも同様の結晶成長を実現し,Si基板上ではGaInAs/InP MQW構造を層構造とする狭ストライプ選択MOVPE成長を行った.この技術は,Siをはじめとする異種基板上へ多機能なIII-V族半導体光デバイスを高密度に集積することを可能にする. |
| 抄録(英) | Integrating III-V materials which enables high-speed computer with large-capacity on Si has been required. Therefore, we have fabricated InP/Si substrate employing wafer direct bonding and wet-etching. Then growth of GaInAs/InP MQW structure has been realized on the substrate using MOVPE. The same work has also been demonstrated on SiO_2-Si and Glass substrate. Furthermore, selective MOVPE growth of GaInAs/InP MQW structure has been done on the InP/Si substrate. Our work is of importance in terms of integration of several functional optical devices on heterogeneous substrate. |
| キーワード(和) | 光インターコネクト / 直接貼付法 / InPテンプレート / MOVPE |
| キーワード(英) | Optical interconnect / Wafer Direct Bonding / InP template / MOVPE |
| 資料番号 | OPE2013-9,LQE2013-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2013/6/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直接貼付InPテンプレートを用いた異種基板上MOVPE結晶成長(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth realized on heterogeneous substrate employing directly-bonded InP template |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光インターコネクト / Optical interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 直接貼付法 / Wafer Direct Bonding |
| キーワード(3)（和/英） | InPテンプレート / InP template |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 恵一 / Keiichi MATSUMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 張 きんきん / Xinxin ZHANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金谷 佳則 / Yoshinori KANAYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下村 和彦 / Kazuhiko SHIMOMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Dept. of Electrical and Electronics Engineering, Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 発表年月日 | 2013-06-21 |
| 資料番号 | OPE2013-9,LQE2013-19 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 100 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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