講演名 2013-06-21
触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
竹澤 和樹, 中村 友紀, 小柳 貴寛, 加藤 孝弘, 片桐 裕則, 大石 耕一郎, 神保 和夫, 安井 寛治,
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抄録(和) 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと反応させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ガラス基板上にZnO結晶膜を成長させた。サファイア基板上への成長膜とは異なりガラス基板上への直接成長では結晶配向性、表面モフォロジーそしてホール移動度が大きく悪化したため、バッファー層の挿入により特性が改善出来ないか調べた。その結果、同じCVD法により低温バッファー層を挿入することでホール移動度の増大が見られ、この増大とバンド端の揺らぎを示す経験的パラメータE_0との間に明確な相関が見られた。
抄録(英) ZnO thin films were grown on glass substrates through a reaction between dimethylzinc and high-energy H_2O. The latter was produced by a Pt-catalyzed H_2-O_2 reaction. Although the ZnO films grown on a-sapphire substrates showed excellent electrical properties, those grown on glass substrates showed poor electrical properties. For the application of transparent conductive thin films, the improvement of the optical and electrical properties of the ZnO films on the glass substrates was tried by the insertion of a low temperature buffer layer. Although crystal orientation along c-axis was not improved by the buffer layer, Hall mobility was improved. The improvement of the Hall mobility was correlated well with an empirical parameter E_0 estimated from the absorption coefficients at sub-bandgap energy.
キーワード(和) ZnO / 触媒反応 / CVD / 表面モフォロジー / 光透過率 / Hall移動度
キーワード(英) ZnO / catalytic reaction / CVD / surface morphology / optical transmittance / Hall mobility
資料番号 EMD2013-23,CPM2013-38,OME2013-46
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/6/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) ZnO film growth using high-energy H_2O generated by a catalytic reaction : Effect of low-temperature buffer layer
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ZnO / ZnO
キーワード(2)(和/英) 触媒反応 / catalytic reaction
キーワード(3)(和/英) CVD / CVD
キーワード(4)(和/英) 表面モフォロジー / surface morphology
キーワード(5)(和/英) 光透過率 / optical transmittance
キーワード(6)(和/英) Hall移動度 / Hall mobility
第 1 著者 氏名(和/英) 竹澤 和樹 / K. TAKEZAWA
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学
Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 友紀 / T. NAKAMURA
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学
Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 小柳 貴寛 / T. OYANAGI
第 3 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学
Nagaoka University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 加藤 孝弘 / T. KATO
第 4 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学
Nagaoka University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 片桐 裕則 / H. KATAGIRI
第 5 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校
Nagaoka National College of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 大石 耕一郎 / K. OOISHI
第 6 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校
Nagaoka National College of Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 神保 和夫 / K. JINBO
第 7 著者 所属(和/英) 長岡工業高等専門学校
Nagaoka National College of Technology
第 8 著者 氏名(和/英) 安井 寛治 / K. YASUI
第 8 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学
Nagaoka University of Technology
発表年月日 2013-06-21
資料番号 EMD2013-23,CPM2013-38,OME2013-46
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 97
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日