| 講演名 | 2013-06-21 LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) 中村 拓未, 黒田 卓司, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | c面およびr面LiNbO_3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度700℃～950℃、5～12時間、r面では温度700℃～1050℃、3～24時間大気中でアニールを行った。c面において、5時間では1000℃以上で湾曲したステップ-テラス構造を確認した。12時間では800℃以上で湾曲したステップおよびバンチングステップを確認した。また基板表面に約6.2nmの背の高い微粒子が析出していた。この微粒子の数は、アニール温度が高くなるにつれて減少していた。r面では、アニール時間が5時間以下、もしくはアニール温度が1000℃以上では、針状のステップができることが分かった。700℃ではファセット状のステップおよび数段(約10%)のバンチングステップを確認した。800℃では、直線状のステップおよびバンチングステップを確認した。900℃では階段状のステップを確認した。900℃、12時間でアニールしたr面LNO基板上にCr_2O_3薄膜を成膜した。幅約0.4μm,長さ約4μm以上の一方向に長い一軸異方性を持ったグレインが成長し、グレイン間に約58nmの深い溝が発生していた。ひとつのグレイン表面だけを見ると、nmオーダーで平坦であった。 |
| 抄録(英) | The annealing optimal condition is searched of the c- and r-cut LiNbO_3(LNO) substrates. Heat treatment of c-cut is carried out in air for 5～12 hour at 700～950℃. Heat treatment of r-cut is carried out in air for 3～24 hour at 700～1050℃. In c-cut LNO substrates, the wavy step-terrace structure is observed at 1000℃ or more for 5 hour. At 800℃ or more for 12 hour. A 6.2nm high particulates appeared on the surface of the substrate. A number of particulates decrease at high temperature. In r-cut LNO substrates, It will the step become a form like a needle, if heat treatment time is 5 hour and fewer or temperature is 1000℃ over. At 700℃ and 800℃, a facet-like step and bunching step, and smooth step bunching step appear. At 900℃, the step like stairs and bunching step are observed. The Cr_2O_3 thin films are deposited by DC-RF magnetron sputtering method on r-cut LNO substrates. Uniaxial grains with the size of approximately 0.4μm in wide and longer than 0.4μm in length are observed. The 58nm deep slot occurred between grains. It was flat when measuring only the one grain surface. |
| キーワード(和) | Cr_2O_3 / LiNbO_3 / アニール / 薄膜 / 成長 |
| キーワード(英) | Cr_2O_3 / LiNbO_3 / anneal / films / growth |
| 資料番号 | EMD2013-20,CPM2013-35,OME2013-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2013/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of the Cr_2O_3 thin films on LiNbO_3 substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | LiNbO_3 / LiNbO_3 |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / anneal |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜 / films |
| キーワード(5)（和/英） | 成長 / growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 拓未 / Takumi Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 卓司 / Takuji Kuroda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
| 発表年月日 | 2013-06-21 |
| 資料番号 | EMD2013-20,CPM2013-35,OME2013-43 |
| 巻番号（vol） | vol.113 |
| 号番号（no） | 97 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |