講演名 2013-06-21
化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御(材料デバイスサマーミーティング)
相良 拓実, 津田 悠作, 吉田 圭佑, 石井 宏治, 矢島 博文, 岩田 展幸, 山本 寛,
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抄録(和) 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes: SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、r面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser: FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板上に成長させた場合、金属性と半導体性のSWNTsが混在して成長しており、SPM表面像より[-111]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO_2/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより、4種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみに制限された。
抄録(英) The purpose of this study is synthesis of in-plane aligned and chirality controlled single-walled carbon nanotubes (SWNTs) for nano electronic devices. As a first step, in-plane aligned SWNTs is addressed to synthesize on r-cut Al_2O_3 substrate, and chirality control of the SWNTs is undertaken by free electron laser (FEL) irradiation during growth on SiO_2/Si substrate. On r-cut Al_2O_3 substrate without FEL, the Raman spectrum shows growth of mixture metal and semiconducting SWNTs, and the surface image demonstrates that the aligned SWNTs are observed along the [-111] direction, although the length of the SWNTs is approximately 500 nm. On SiO_2/Si substrate, grown SWNTs with 800nm-FEL irradiation is only semiconducting with fourth kinds of chilarity, demonstrated by the Raman spectra with multi excitation lasers.
キーワード(和) 単層カーボンナノチューブ / 面内配向 / 自由電子レーザ
キーワード(英) single-walled carbon nanotubes / in-plane aligned / free electron laser
資料番号 EMD2013-12,CPM2013-27,OME2013-35
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/6/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Simultaneous control of In-plane Orientation and Chirality of Single-Walled Carbon Nanotubes by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes
キーワード(2)(和/英) 面内配向 / in-plane aligned
キーワード(3)(和/英) 自由電子レーザ / free electron laser
第 1 著者 氏名(和/英) 相良 拓実 / Takumi Sagara
第 1 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science & Technology, Nihon Univ
第 2 著者 氏名(和/英) 津田 悠作 / Yusaku Tsuda
第 2 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science & Technology, Nihon Univ
第 3 著者 氏名(和/英) 吉田 圭佑 / Yusuke Yoshida
第 3 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science & Technology, Nihon Univ
第 4 著者 氏名(和/英) 石井 宏治 / Koji Ishii
第 4 著者 所属(和/英) 東京理科大学理学部
College of Science, Tokyo University of Sicence
第 5 著者 氏名(和/英) 矢島 博文 / Hirofumi Yajima
第 5 著者 所属(和/英) 東京理科大学理学部
College of Science, Tokyo University of Sicence
第 6 著者 氏名(和/英) 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata
第 6 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science & Technology, Nihon Univ
第 7 著者 氏名(和/英) 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto
第 7 著者 所属(和/英) 日本大学理工学部
College of Science & Technology, Nihon Univ
発表年月日 2013-06-21
資料番号 EMD2013-12,CPM2013-27,OME2013-35
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 97
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日