講演名 | 2013-06-21 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御(材料デバイスサマーミーティング) 相良 拓実, 津田 悠作, 吉田 圭佑, 石井 宏治, 矢島 博文, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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抄録(和) | 単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes: SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、r面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser: FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板上に成長させた場合、金属性と半導体性のSWNTsが混在して成長しており、SPM表面像より[-111]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO_2/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより、4種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみに制限された。 |
抄録(英) | The purpose of this study is synthesis of in-plane aligned and chirality controlled single-walled carbon nanotubes (SWNTs) for nano electronic devices. As a first step, in-plane aligned SWNTs is addressed to synthesize on r-cut Al_2O_3 substrate, and chirality control of the SWNTs is undertaken by free electron laser (FEL) irradiation during growth on SiO_2/Si substrate. On r-cut Al_2O_3 substrate without FEL, the Raman spectrum shows growth of mixture metal and semiconducting SWNTs, and the surface image demonstrates that the aligned SWNTs are observed along the [-111] direction, although the length of the SWNTs is approximately 500 nm. On SiO_2/Si substrate, grown SWNTs with 800nm-FEL irradiation is only semiconducting with fourth kinds of chilarity, demonstrated by the Raman spectra with multi excitation lasers. |
キーワード(和) | 単層カーボンナノチューブ / 面内配向 / 自由電子レーザ |
キーワード(英) | single-walled carbon nanotubes / in-plane aligned / free electron laser |
資料番号 | EMD2013-12,CPM2013-27,OME2013-35 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2013/6/14(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御(材料デバイスサマーミーティング) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Simultaneous control of In-plane Orientation and Chirality of Single-Walled Carbon Nanotubes by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Method |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 単層カーボンナノチューブ / single-walled carbon nanotubes |
キーワード(2)(和/英) | 面内配向 / in-plane aligned |
キーワード(3)(和/英) | 自由電子レーザ / free electron laser |
第 1 著者 氏名(和/英) | 相良 拓実 / Takumi Sagara |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
第 2 著者 氏名(和/英) | 津田 悠作 / Yusaku Tsuda |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
第 3 著者 氏名(和/英) | 吉田 圭佑 / Yusuke Yoshida |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石井 宏治 / Koji Ishii |
第 4 著者 所属(和/英) | 東京理科大学理学部 College of Science, Tokyo University of Sicence |
第 5 著者 氏名(和/英) | 矢島 博文 / Hirofumi Yajima |
第 5 著者 所属(和/英) | 東京理科大学理学部 College of Science, Tokyo University of Sicence |
第 6 著者 氏名(和/英) | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
第 6 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
第 7 著者 氏名(和/英) | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
第 7 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon Univ |
発表年月日 | 2013-06-21 |
資料番号 | EMD2013-12,CPM2013-27,OME2013-35 |
巻番号(vol) | vol.113 |
号番号(no) | 97 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |