講演名 2013-06-21
有限要素解析による有機トランジスタのフレキシブル特性予測(材料デバイスサマーミーティング)
酒井 正俊, 山崎 陽太, 山口 祥平, 林 潤郎, 工藤 一浩,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) フレキシブル有機トランジスタにおいて、力学的中立面に有機半導体層を配置することによって曲率半径サブミリメートルクラスの曲げ耐性が報告されている。力学的中立面においては、曲げにより生じる圧縮歪と引張歪がちょうど打ち消しあうため、このような良好な曲げ耐性が実現される。しかしながら、このような構造を持つフレキシブルデバイスにおいても、もちろん曲げ耐性の限界は存在する。そこで、我々はこのような構造を持つフレキシブルデバイスの曲げ耐性を予測するために、有限要素法による計算を行った。結果として、このようなフレキシブルデバイスで最も早い段階で破壊されうる所は、有機半導体層内で、かつ、Au電極端近傍の結晶粒界であるということを示した。
抄録(英) Recent years, sub-millimeter bending durability of the organic thin film devices have been achieved by placing the active layer of the transistor in the neutral strain surface. At around the neutral strain surface, an organic thin film have a high bending durability because in-plane tensile and compressive strain are canceled each other. However, this type of highly flexible device is also destroyed or cause irreversible degradation by a hard bending. Therefore, we have carried out the finite element analysis on the flexible device. The results predicts that the most possible breaking point for this type of a flexible transistor is the boarder of organic layer and Au electrode.
キーワード(和) 有機半導体 / 電界効果トランジスタ / フレキシブルエレクトロニクス / 有限要素法
キーワード(英) organic semiconductor / field effect transistor / flexible electronics / finite element method
資料番号 EMD2013-10,CPM2013-25,OME2013-33
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2013/6/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 有限要素解析による有機トランジスタのフレキシブル特性予測(材料デバイスサマーミーティング)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Flexibility of the Organic Transistor Calculated by the Finite Element Analysis
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機半導体 / organic semiconductor
キーワード(2)(和/英) 電界効果トランジスタ / field effect transistor
キーワード(3)(和/英) フレキシブルエレクトロニクス / flexible electronics
キーワード(4)(和/英) 有限要素法 / finite element method
第 1 著者 氏名(和/英) 酒井 正俊 / Masatoshi SAKAI
第 1 著者 所属(和/英) 千葉大学大学院工学研究科
Chiba University
第 2 著者 氏名(和/英) 山崎 陽太 / Yota YAMAZAKI
第 2 著者 所属(和/英) 千葉大学大学院工学研究科
Chiba University
第 3 著者 氏名(和/英) 山口 祥平 / Syohei YAMAGUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 千葉大学大学院工学研究科
Chiba University
第 4 著者 氏名(和/英) 林 潤郎 / Jyunro HAYASHI
第 4 著者 所属(和/英) 千葉大学大学院工学研究科
Chiba University
第 5 著者 氏名(和/英) 工藤 一浩 / Kazuhiro KUDO
第 5 著者 所属(和/英) 千葉大学大学院工学研究科
Chiba University
発表年月日 2013-06-21
資料番号 EMD2013-10,CPM2013-25,OME2013-33
巻番号(vol) vol.113
号番号(no) 97
ページ範囲 pp.-
ページ数 2
発行日